[实用新型]外延片生产用承载平台

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种外延片生产用承载平台。

背景技术

外延片的生产方法，是在衬底上生长单晶硅薄膜。如图1所示为一种承载平台的俯视图，其包括圆形的盘体1，盘体1表面设置有用于承载衬底的凹槽11，多个凹槽11分布在盘体1的表面。化学气相法生产外延片时，使气态的硅单晶沉积在衬底表面。单晶硅的沉积是在石英罩内进行。生产时，使气态的单晶硅经过输送管输送至石英罩内，在盘体1的上方释放出气态单晶硅。为保证各个衬底上均能均匀生长单晶薄膜，输送管的气体出口位于盘体1的圆心上方。这样设置，虽然能够起到一定的效果，但对于远离圆心的衬底来说，其仍然难以确保与靠近圆心的衬底表面生长均匀厚度的单晶薄膜。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可确保各处的衬底生长均匀厚度单晶薄膜的外延片生产用承载平台。

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现：

外延片生产用承载平台，其特征在于，包括盘体，盘体表面边缘设置有突出于盘体表面的挡环。

优选地是，所述的挡环的内圈表面为直线斜面。

优选地是，所述的挡环的内圈表面为弧形面。

本实用新型中的外延片生产用承载平台，可利用设置在盘体四周的挡环阻挡一部分气态单晶硅，使其反射后落在衬底表面，因此，可使远离盘体圆心的衬底上能够生长出与靠近圆心的衬底上的单晶薄膜厚度相当的薄膜。可确保同一批次生产的外延片具有相当的性能。

附图说明

图1为现有技术在的一种外延片生产用承载平台的俯视图；

图2为本实用新型实施例1的俯视图；

图3为实施例1中的图2的A-A剖视图；

图4为实施例2中的图2的A-A剖视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细的描述：

实施例1

如图2、图3所示，外延片生产用承载平台，包括盘体1，盘体1为圆形，盘体1表面边缘设置有突出于盘体1表面的挡环2。

挡环2的内圈表面21为直线斜面。

实施例2

其与实施例1的不同之处在于，所述的挡环2的内圈表面21为弧形面，其余结构与实施例1相同。

本实用新型中的实施例仅用于对本实用新型进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本实用新型保护范围内。