[实用新型]一种消除光刻针孔危害的可控硅结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种可控硅结构，尤其涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构。

背景技术

由于生产厂房的净化水平因素，尘埃粒子等颗粒对光刻质量造成了很大影响，尘埃粒子、其他小颗粒和毛屑等落在了胶膜或光刻版上，都会形成针孔。光刻腐蚀后，此处氧化层被腐蚀，使得此处对硼扩散的屏障作用消失，造成硼穿透到长基区中，形成尖峰，长基区实际有效长度缩短，电压降低甚至损坏。因此迫切需要寻找新的可控硅结构以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种消除光刻针孔危害的可控硅结构。

本实用新型采用的技术方案是：

一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧。

所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度。

本实用新型的优点是：彻底消除了针孔危害，大大提高了可控硅产品批次合格率。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明：

图1为本实用新型的结构示意图。

其中：1、可控硅片，2、一次氧化层，3、二次氧化层，4、一次针孔，5、二次针孔，6、硼扩散穿通环。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型的一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片1，可控硅片1上生成有一次氧化层2、二次氧化层3和硼扩散穿通环6，一次氧化层2上光刻产生有多个一次针孔4，每个一次针孔4处无一次氧化层2；二次氧化层3覆盖于一次氧化层2和一次针孔4上，二次氧化层3光刻产生有多个二次针孔5，每个二次针孔5处无二次氧化层3、但不穿透一次氧化层2，硼扩散穿通环6设于一次氧化层2和二次氧化层3的左右两侧。

由于尘埃粒子等几乎不可能在两次光刻中均落在同一个点上，且二次氧化层3薄，腐蚀时间短，所以二次光刻形成的“针孔”并无法严重破坏氧化层，从而能屏蔽硼扩散，氧化层就相当于无任何针孔。从而解决了光刻过程中针孔的问题，大大提高了产品的批次合格率。

本实用新型的优点是：彻底消除了针孔危害，大大提高了可控硅产品批次合格率。