[实用新型]内绝缘型塑封半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种内绝缘型塑封半导体器件。

背景技术

目前半导体器件的封装结构是硅芯片直接烧结到引线框架的金属底板上，即器件的某个电极直接与框架的金属底板连接，而有些器件(如可控硅)的使用特点又是绝大多数直接接到AC220V或AC380V电源上，用户在使用时，会使散热片直接连接较高电压的交流电，给使用带来诸多不便，几只可控硅同时在一个电路中使用时，不能共用一个散热片，还会造成不安全的因素。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种绝缘耐压、有利散热、气密性高、可靠性高、安全性高的一种内绝缘型塑封半导体器件。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

内绝缘型塑封半导体器件，包括框架、大底板、小底板、可控硅芯片、门极内引线、K极内引线和电极引出端，所述可控硅芯片与电极引出端之间连接门极内引线和K极内引线，所述电极引出端与小底板连接，所述大底板与小底板之间设有三氧化二铝陶瓷片，所述小底板上设有凸台，所述可控硅芯片置于凸台上，所述框架、大底板和小底板均为铜质材料制成，所述门极内引线和K极内引线均为铜引线片。

所述可控硅芯片表面蒸镀有Ag层，在可控硅芯片表面与电极引出端之间的铜引线片由铅锡焊料进行焊接固定。

本实用新型的优点：

1、大底板与带电极引出端的小底板之间隔有三氧化二铝陶瓷片，确保了产品的底板和电极引出端之间耐压高于交流2500V。

2、由于三氧化二铝陶瓷片的应用，大底板与电源绝缘后，可以将几个半导体器件共用一个散热片，给器件的使用和安装带来了很大的方便。

3、产品由于使用了铜引线片代替了原来的铝丝引线，因为铜材的电阻率更小且截面的增加，减少了内引线本身在通过电流时的发热，同时还改善了器件芯片工作中的散热状态，可以增加该器件产品抗电流冲击的能力。

4、凸台结构的小底板，在产品包封成型后，凸台的边缘可以有效的抵制环氧包封料在固化回缩时给硅芯片造成的压缩应力，从而提高了硅器件产品的稳定可靠性。

5、采用裸铜框架，增加了包封塑料与框架表面的粘附力，使产品的气密性和可靠性都得到了提高。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的外形图。((a)为TO-3P型，((b)为TO-220型)

图2为本实用新型包封前的俯视图。((a)为TO-3P型，((b)为TO-220型)

图3为本实用新型绝缘结构的剖视图。

图4为本实用新型铜内引线片的零件图。((a)为TO-3P型，((b)为TO-220型)

其中，1、大底板，2、三氧化二铝陶瓷片，3、小底板，4、可控硅芯片，5、门极内引线，6、K极内引线，7、电极引出端，8、凸台，9、框架，10、铅锡焊料，11、改性环氧包封料。

具体实施方式

如图1至4所示，内绝缘型塑封半导体器件，包括框架9、大底板1、小底板3、可控硅芯片4、门极内引线5、K极内引线6和电极引出端7，可控硅芯片4与电极引出端7之间连接门极内引线5和K极内引线6，电极引出端7与小底板3连接，大底板1与小底板3之间设有三氧化二铝陶瓷片2，小底板3上设有凸台8，可控硅芯片4置于凸台8上，框架9、大底板1和小底板3均为铜质材料制成，门极内引线5和K极内引线6均为铜引线片。可控硅芯片4表面蒸镀有Ag层，在可控硅芯片4表面与电极引出端7之间的铜引线片由铅锡焊料10焊接固定而成。内绝缘型塑封半导体器件上用改性环氧包封料11进行包封。本实用新型大底板1与带电极引出端7的小底板3之间隔有三氧化二铝陶瓷片2，确保了产品的大底板1和电极引出端7之间耐压高于交流2500V。本实用新型的铜质引线片的形状与对应芯片形状相搭配，从而方便于生产现场的在线冲切和安装。

本实用新型优点：采用三氧化二铝陶瓷片2绝缘耐压、有利散热；采用裸铜框架9气密性高；用改性环氧包封料11将产品包封成型，凸台8的边缘可以有效的抵制改性环氧包封料11在固化回缩时给可控硅芯片4造成的压缩应力，从而提高了硅器件产品的稳定可靠性。