[实用新型]一种全桥H桥脉冲发生单元电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种脉冲发生单元电路，特别是一种全桥H桥脉冲发生单元电路。

背景技术

伴随着功率半导体器件、高频化和软开关技术以及系统集成技术的发展和应用，作为电力电子变换技术的一个重要分支，具有H桥拓扑的DC/DC变换技术几十年来有了飞速的发展和变化。

全桥H桥脉冲发生单元电路通常采用UC38**系列电源模块加MOS驱动芯片或者驱动变压器的电路结构，但存在高成本、低可靠性、难实现的问题。

发明内容

为解决现有技术存在的上述问题，本实用新型要设计一种具有低成本、高可靠性、易实现的全桥H桥脉冲发生单元电路。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种全桥H桥脉冲发生单元电路，包括脉冲发生单元、死区形成单元、功率驱动单元A、功率驱动单元B，所述的脉冲发生单元一端依次与死区形成单元、功率驱动单元A和一对桥臂连接，另一端依次与功率驱动单元B和互补对桥臂连接；所述的脉冲发生单元包括CD40106施密特触发器、电阻R和瓷片电容C，所述的电阻R并接在CD40106施密特触发器的10、11引脚，瓷片电容C并接在CD40106施密特触发器的11引脚和地；所述的死区形成单元包括带有强推挽输出的与门CD4081芯片、电阻R1和电容C1，所述的电阻R1并接在CD4081芯片的12、13端，电容C1并接在CD4081芯片的13端与GND之间；所述的CD4081芯片的12端还与脉冲发生单元的CD40106施密特触发器的4引脚连接；所述的功率驱动单元A和功率驱动单元B具有相同的电路结构，各包括一个CD40106施密特触发器特性的芯片，每个芯片包括6单元施密特触发器，其9引脚与脉冲发生单元中的CD40106施密特触发器的1引脚连接。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

1、由于本实用新型采用的H桥拓扑的脉冲发生单元，仅由4个芯片组成，节省了开关管驱动单元，实现了低成本。如采用SG3525作为脉冲发生单元，再加上开关管驱动电路，则一片SG3525为15元钱左右，而一片CD4***系列芯片仅为1元钱左右，所以其成本非常低。

2、由于本实用新型采用单个芯片分立元件形成的带有死区的脉冲单元，并且通过推挽结构的并联，达到了易实现的目的。

3、由于本实用新型的死区是通过PWM与其自身形成的斜坡信号相作用形成的，死区形成的原因简单，因而可靠性高。

本实用新型共有附图6张，其中：

图1是全桥H桥脉冲发生单元电路系统流程图。

图2是全桥H桥脉冲发生单元电路拓扑示意图。

图3是全桥H桥脉冲发生单元电路的功率驱动单元A的示意图。

图4是全桥H桥脉冲发生单元电路的功率驱动单元B的示意图。

图5是全桥H桥脉冲发生单元电路的脉冲发生单元示意图。

图6是全桥H桥脉冲发生单元电路的死区形成单元示意图。

图中，1、脉冲发生单元，2、死区形成单元，3、功率驱动单元A，4、功率驱动单元B，5、一对桥臂，6、互补对桥臂。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行进一步地描述。如图1-6所示，一种全桥H桥脉冲发生单元电路，包括脉冲发生单元1、死区形成单元2、功率驱动单元A3、功率驱动单元B4，所述的脉冲发生单元1一端依次与死区形成单元2、功率驱动单元A3和一对桥臂5连接，另一端依次与功率驱动单元B4和互补对桥臂6连接；所述的电阻R并接在CD40106施密特触发器的10、11引脚，瓷片电容C并接在CD40106施密特触发器的11引脚和地；所述的死区形成单元2包括带有强推挽输出的与门CD4081芯片、电阻R1和电容C1，所述的电阻R1并接在CD4081芯片的12、13端，电容C1并接在CD4081芯片的13端与GND之间；所述的CD4081芯片的12端还与脉冲发生单元1的CD40106施密特触发器的4引脚连接；所述的功率驱动单元A3和功率驱动单元B4具有相同的电路结构，各包括一个CD40106施密特触发器特性的芯片，每个芯片包括6单元施密特触发器，其9引脚与脉冲发生单元1中的CD40106施密特触发器的1引脚连接。