[实用新型]长期演进天线结构

权利要求书

1.一种长期演进天线结构，其特征在于包括：

一电路板，为一绝缘材质的长方板；

一单极天线，成型于该电路板表面的中间位置，以一长横部及一短直部形成一T字型，并在该短直部底端具有一馈入部；

一耦合元件，成型于该电路板表面的周缘以环绕于该单极天线，具有一第一耦合部、一第二耦合部及一接地部以形成在该天线结构的低频带及高频带之间耦合及阻抗匹配且耦合效应控制该天线结构的带宽及频移的第一耦合区域、负责该天线结构的高频带及低频带之间的耦合效应的第二耦合区域及控制高频带频宽第三耦合区域；

一焊接于该电路板周缘的金属冲压件，至少具有一上方部、一第一突耳及一下方部；该上方部垂直突出于该电路板的上缘且与该耦合元件第一耦合部导电性连接；该第一突耳设置于该电路板的侧缘；该下方部垂直突出于该电路板的下缘；

一连接于该单极天线的短直部及该耦合元件的第二耦合部之间的电容；及

一讯号线，固定该金属冲压件的下方部上，其地线与该耦合元件的接地部导电性连接，而讯号馈入的芯线导电性接触于该单极天线的馈入部。

2.依据权利要求1所述的长期演进天线结构，其特征在于，该耦合元件的第一耦合部沿该电路板的上缘平行该单极天线的长横部成型且与该长横部之间构成第一耦合区域。

3.依据权利要求2所述的长期演进天线结构，其特征在于，该第一耦合区域的低频带范围为746～960MHz，而高频带范围为1710～2170MHz。

4.依据权利要求1所述的长期演进天线结构，其特征在于，该耦合元件的第二耦合部以一上横部、一直部及一下横部构成一左开口的槽型，成型于该单极天线的左下方，且其上横部与该单极天线的长横部、以及与该下横部之间构成第二耦合区域。

5.依据权利要求4所述的长期演进天线结构，其特征在于，该耦合元件的接地部沿该电路板的下缘成型且与该第二耦合部的下横部形成分叉并于该分叉之间设有一连接于该下横部与该接地部之间的连接部并构成第三耦合区域。

6.依据权利要求5所述的长期演进天线结构，其特征在于，该耦合元件的接地部连接一设置于该电路板底缘下方的作为地面的金属片。

7.依据权利要求1所述的长期演进天线结构，其特征在于，该电容的电容值范围为1～1.5pF。

8.依据权利要求1所述的长期演进天线结构，其特征在于，该金属冲压件的下方部上形成有固定该讯号线的多个勾部。

9.依据权利要求1所述的长期演进天线结构，其特征在于，该金属冲压件进一步具有一相对该第一突耳而焊接在该电路板的另一侧缘的第二突耳。