[实用新型]直边型金属盖半导体封装有效

专利信息
申请号: 201020232782.9 申请日: 2010-06-22
公开(公告)号: CN201829476U 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 管军华 申请(专利权)人: 宇芯(成都)集成电路封装测试有限公司
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L25/00;H01L21/52;H01L21/48
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 詹永斌
地址: 611731 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 直边型 金属 半导体 封装
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及印刷电路板上的半导体封装。

背景技术

电子产品的印刷电路制作中,存在需要将芯片等半导体器件封装在印刷电路基板上。

现有技术主要采用两种结构,一是如图1所示采用金属拉伸变形而成,造成封装体截面图上存在两处圆弧,则其上表面的面积减小,不能满足客户需求;另一种是如图2所示采用塑料注塑成型,虽然解决了金属拉伸造成的圆弧问题,但一方面塑料强度有限,另一方面为了静电屏蔽,还需要在塑料内表层涂覆金属层做屏蔽层,造成工艺复杂。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术存在的封装体强度、上表面面积存在矛盾的问题,提供一种直边型金属盖半导体封装体,一方面相比现有的金属封装体的上表面面积更大,另一方面相比现有塑料封装体强度更高,且无需屏蔽层、工艺更简单。

本实用新型的目的通过下述技术方案来实现:

直边型金属盖半导体封装,包括安装在印刷电路基板上的芯片,还包括金属盖和金属围墙,所述金属盖和金属围墙的上端面连接,金属围墙的下端面与印刷电路基板连接,所述芯片位于金属盖和金属围墙构成的空间内,所述金属盖与金属围墙连接部位的内角为直角。

一种实施方式是,所述金属盖和金属围墙为一体成形结构。

另一种实施方式是,所述金属盖上设置有贯穿内外的通孔。

更具体的实施方式有,所述金属盖和金属围墙的上端面之间通过树脂或焊锡粘接剂连接。

更具体的实施方式还有,所述金属围墙下端面与印刷电路基板之间通过树脂或焊锡粘接剂连接。

一个实施例中,所述芯片包括通过导线连接的MEMS芯片和控制芯片,MEMS芯片和控制芯片通过环氧树脂粘接剂与印刷电路基板固定连接。

另一个实施例中,所述印刷电路基板上矩阵排布有若干个金属围墙,整块金属板上与金属围墙对应地矩阵排布有若干个金属盖。

上述实施例中,每个金属盖和金属围墙构成的空间内,所述芯片包括通过导线连接的MEMS芯片和控制芯片,MEMS芯片和控制芯片通过环氧树脂粘接剂与印刷电路基板固定连接。

本实用新型通过化学蚀刻或冲压拉伸成形的方法,整体制作金属盖和金属围墙,或是分别制作金属盖和金属围墙,使金属盖和金属围墙连接处的内角为直角,而不会产生过渡圆弧,从而使金属封装体的上表面面积相比原来有圆弧的结构更大,以满足客户需求,而且金属封装体又比现有的塑料封装体强度更高,减少了制作内部屏蔽层的工序,制作工艺更简单,结构更简单。

附图说明

图1是现有技术中采用金属封装体的结构示意图;

图2是现有技术中采用塑料封装体的结构示意图;

图3是本实用新型实施例1的结构示意图;

图4是本实用新型实施例2的结构示意图;

图5是本实用新型实施例3的结构示意图;

图6是本实用新型实施例4的结构示意图;

图7-图8是本实用新型实施例1的制作过程示意图;

图9-图10是本实用新型实施例2的制作过程示意图;

图11-图13是本实用新型实施例3的制作过程示意图;

图14-图16是本实用新型实施例5的制作过程示意图;

图17-图19是本实用新型实施例4的制作过程示意图;

图20-图22是本实用新型实施例6的制作过程示意图;

图中标号:1是金属盖,2是控制芯片,3是印刷电路基板,4是导线,5是MEMS芯片,6是环氧树脂粘接剂,7是塑料盖,8是整体成形的金属盖,9是金属围墙与印刷电路基板之间的树脂或焊锡粘接剂,10是平板金属盖,11是金属围墙,12是平板金属盖与金属围墙之间的树脂或焊锡粘接剂,13是带通孔的金属盖,14是带通孔的平板金属盖。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本实用新型作进一步的说明。

现有的在印刷电路基板上的半导体封装,主要包括如图1所示的金属封装和如图2所示的塑料封装,两者的区别是图1中的盖体是由金属拉伸变形制作的金属盖1,在拉伸过程中不可避免形成了图1中所示的两处圆弧,从而使金属盖1的上表面面积小于其底部与印刷电路基板3接触的面积;而图2中的盖体是塑料注塑形成的塑料盖7,可以形成直边、直角,但塑料的强度却较低,且为了静电屏蔽,塑料盖7的内壁还需要涂覆一层金属层,从而导致结构更复杂、工艺更繁复。

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