[实用新型]磁敏达林顿晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种达林顿晶体管及其制造方法，尤其是一种磁敏达林顿晶体管。 

背景技术

目前，常用的磁敏传感器包括HALL(霍尔)传感器及磁性材料传感器；上述磁敏传感器的灵敏度低，功能单一，且使用复杂，操作不够方便。 

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种磁敏达林顿晶体管，其灵敏度高，工艺操作简单，使用方便，安全可靠。 

按照本实用新型提供的技术方案，在所述达林顿晶体管的截面上，包括第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底与第一导电类型的外延层，所述第一导电类型外延层邻接所述第一导电类型衬底；其创新在于： 

在所述达林顿晶体管的截面上，所述第一导电类型外延层上部设有第一区域与第二区域；所述第一区域与第二区域均包括第二导电类型基区及位于所述第二导电类型基区上部的第一导电类型发射区；所述第一区域内的第二导电类型基区与第二区域内的第二导电类型基区利用第一导电类型外延层相隔离；所述第一导电类型外延层上淀积有第一介质层；所述第一区域与第二区域内对应的第二导电类型基区、第一导电类型发射区上方分别设有第一接触孔与第二接触孔；所述第一接触孔与第二接触孔内均淀积有互连金属层，所述互连金属层与对应的第二导电类型基区及第一导电类型发射区相接触；所述互连金属层上淀积有第二介质层；所述第二介质层将对应第一接触孔与第二接触孔内的互连金属层相隔离；所述第一区域内的第一导电类型发射区通过互连金属层与第二区域内的第二导电类型基区连接成等电位；所述第一区域内对应于第二导电类型基区上方设有第一连接孔；所述第二区域内对应于第一导电类型发射区上方设有第二连接孔，所述第二连接孔与第一连接孔均从第二介质层的表面延伸到互连金属层；所述第二连接孔内淀积有磁性层，所述磁性层填充在第二连接孔内，并覆盖在第二介质层上；所述磁性层通过互连金属层与第二区域内的第一导电类型发射区连接。 

所述第二介质层上设有第三连接孔，所述磁性层填充在第三连接孔内，并与第三连接孔内的互连金属层相接触。所述互连金属层的材料包括铝。所述磁性层的材料包括GMR或TMR。所述第一介质层与第二介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。 

上所述第一导电类型外延层的厚度为1μm～500μm。所述磁性层的厚度为10μm～10000μm。所述第二介质层的厚度为100～10000μm。所述半导体基板的材 料包括硅。 

所述“第一导电类型”和“第二导电类型”两者中，对于N型达林顿晶体管，第一导电类型指N型，第二导电类型为P型；对于P型达林顿晶体管，第一导电类型与第二导电类型所指的类型与N型达林顿晶体管正好相反。 

本实用新型的优点：通过磁性层感应达林顿晶体管的电流产生的磁场，磁性层根据感应的磁场能够控制达林顿晶体管的电流；工艺操作简单，灵敏度高，操作使用方便。 

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。 

图2为本实用新型的使用状态。 

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。 

如图1～图2所示：以N型达林顿晶体管为例，本实用新型包括第一连接孔1、基极2、第二介质层3、第二接触孔4、第一接触孔5、发射极6、第二连接孔7、磁性层8、第三连接孔9、N+发射区10、N型外延层11、N+衬底12、集电极13、P型基区14、第一介质层15及互连金属层16。 

如图1所示：所述半导体基板包括N+衬底12与N型外延层11，所述N型外延层11邻接N+衬底12。半导体基板具有两个相对主面，所述主面包括第一主面与第二主面，半导体基板对应N+衬底12的主面为第二主面，N型外延层11的主面为第一主面；所述第一主面与第二主面相对应。所述N型外延层11的掺杂浓度低于N+衬底12的掺杂浓度。