[实用新型]一种使用交流电的发光器件有效
申请号: | 201020213134.9 | 申请日: | 2010-05-24 |
公开(公告)号: | CN201680214U | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 周玉刚;曾照明;赖燃兴;姜志荣;许朝军;王瑞珍;肖国伟 | 申请(专利权)人: | 晶科电子(广州)有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V23/00;H01L25/16 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍;王玺建 |
地址: | 511458 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 交流电 发光 器件 | ||
1.一种使用交流电的发光器件,其特征在于:包括:
至少一LED芯片;以及
交流驱动电路芯片,其包括一衬底和集成在所述衬底上的整流电路;
所述LED芯片倒装在所述交流驱动电路芯片的衬底上,并与整流电路电连接,该交流驱动电路芯片将交流电转换为直流电以提供给所述LED芯片。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于:所述整流电路为桥式整流电路。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于:所述整流电路包括在衬底上形成的第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管;一绝缘层覆盖在衬底的上表面,在各二极管的P、N极对应的绝缘层处具有接触孔;一第一金属线层设置在绝缘层的上表面,并通过接触孔分别与各二极管的P、N极电连接;第一二极管的P极与第四二极管的N极通过第一金属线层连接至衬底上的一电源连接端,第二二极管的P极与第三二极管的N极通过第一金属线层连接至衬底上的另一电源连接端;在该第一二极管和第二二极管的N极通过第一金属线层电连接形成一N型连接端;其该第三二极管和第四二极管的P极通过第一金属线层电连接形成一P型连接端,所述LED芯片的P极与N型连接端电连接,LED芯片的N极与P型连接端电连接。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于:在所述P型连接端和N型连接端的上表面分别设置有一金属焊垫,在二电源连接端上表面分别设置有一外接焊垫。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于:在所述金属焊垫的上表面设置有一凸点焊球,所述LED芯片通过该凸点焊球与所述衬底电连接。
6.根据权利要求3要求所述的发光器件,其特征在于:该发光器件包括一LED芯片,该LED芯片包括多个相互独立的发光区,每个发光区具有P极和N极,并通过所述LED芯片上的第二金属线层串联或并联或混联,所述LED芯片的前端发光区的P极与衬底的N型连接端电连接,后端发光区的N极与衬底的P型连接端电连接。
7.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于:该发光器件包括一LED芯片,该LED芯片包括多个相互独立的发光区,每个发光区具有P极和N极,并通过所述衬底上的第一金属线层串联或并联或混联,所述LED芯片的前端发光区的P极与衬底的N型连接端电连接,后端发光区的N极与衬底的P型连接端电连接。
8.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于:该发光器件包括多个相互独立的LED芯片,每个LED芯片具有P极和N极,并通过所述衬底上的第一金属线层串联或并联或混联,前端LED芯片的P极与衬底的N型连接端电连接,后端LED芯片的N极与衬底的P型连接端电连接。
9.根据权利要求1-8中任意一权利要求所述的发光器件,其特征在于:所述发光器件还包括一滤波电路,其集成在所述交流驱动电路芯片的衬底上,并串接在所述整流电路与交流电源之间。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于:所述滤波电路由相互并联的一电阻和一电容组成。
11.根据权利要求10所述的发光器件,其特征在于:所述电阻设置在所述衬底上的绝缘层的上表面。
12.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于:所述电阻在所述绝缘层表面呈迂回形状。
13.根据权利要求10-12中任意一权利要求所述的发光器件,其特征在于:所述电容的结构是导电层-绝缘层-导电层的三层结构,其中,所述电容底部的导电层设置在绝缘层上并与所述第一金属线层电连接,所述电容顶部的导电层通过一第三金属线层连接至与电源连接端连接的第一金属线层上。
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