[实用新型]一种低速光耦加速电路有效
| 申请号： | 201020204448.2 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN201699682U | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡晓斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市易能电气技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李新林 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低速 加速 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种低速光耦加速电路，包括低速光耦合器(P1)，该低速光耦合器(P1)由发光二极管和光敏三极管构成，其特征在于还包括第一开关型NPN三极管(T1)、第二开关型NPN三极管(T2)和第一RC电路、第二RC电路，所述发光二极管的阳极通过上拉电阻(R1)与脉冲高电平电源连接，阴极与第一开关型NPN三极管(T1)的集电极连接；所述光敏三极管的集电极与输出信号电源端连接，发射极通过第一RC电路与第二开关型NPN三极管(T2)的基极连接。
2.根据权利要求1所述的低速光耦加速电路，其特征在于所述第一开关型NPN三极管(T1)的基极与第二RC电路连接。
3.根据权利要求1所述的低速光耦加速电路，其特征在于所述第一RC电路由第一加速电容(C1)和第一限流电阻(R2)并联而成。
4.根据权利要求1或2所述的低速光耦加速电路，其特征在于所述第二RC电路由第二加速电容(C2)和第二限流电阻(R3)并联而成。
5.根据权利要求1所述的低速光耦加速电路，其特征在于所述光敏三极管发射极与第二开关型NPN三极管(T2)之间还连接有一对地电阻(R4)。
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