[实用新型]一种缓冲带压着机构有效
申请号: | 201020202936.X | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN201877407U | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 魏小刚;陈博 | 申请(专利权)人: | 索尼精密部件(惠州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;G02F1/13 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 任海燕 |
地址: | 516006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缓冲 带压着 机构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电子产品生产过程中的辅助设备。
背景技术
在中小型LCD模组工程中主要有:COG(Chip On Glass玻璃面板上连接IC)工程、COF(Chip On Film皮线上连接IC)程、FOG(Film OnGlass玻璃面板上粘贴皮线)工程。在这些工程中分别要在LCD液晶面板上搭载IC、FPC上搭载IC、LCD液晶面板上搭载FPC。以上工程需要通过ACF(异向导电膜)使两部分的电极进行连接。在这个整个工程中金属压着头与被搭载IC或FPC之间需要追加起缓冲作用的缓冲带。
由于现在市面上常见缓冲带宽度10mm,而现在COG工程与FOG工程中的IC电极部对ACF的需求宽度或FPC的电极部对ACF的需求宽度为0.5mm~2.5mm之间。以前的压着方式是用宽度为10mm的缓冲带对宽度大多为0.5mm~2.5mm的搭载体起缓冲作用。而设备是单纯的将Teflon tape卷曲设备,缓冲带使用一次后就不能再使用了。如附图1为现有的缓冲带使用之后的结构示意图,从图可知缓冲带还存在大量空白之处,材料浪费严重。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简洁、缓冲带利用充分的缓冲带压着机构。
为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种缓冲带压着机构,包括机架以及安装于机架上用于缠绕并带动缓冲带移动的主动卷取轮和从动卷曲轮,主动卷曲轮通过步进电机驱动,在主动卷取轮和从动卷取轮之间设置可上下运动的金属压着头,所述的金属压着头安装于一驱动金属压着头沿缓冲带宽度方向偏移的偏移组件上。
作为对上述方案的改进,所述的偏移组件包括一固定金属压着头的横向滑块,横向滑块安装于导轨上,横向滑块通过一气缸驱动。
并且,偏移组件固定于一竖向滑块上,竖向滑块安装于一垂直固定于机架上的滑轨滑块上,气缸固定于竖向滑块上。
作为对上述方案的更进一步改进,在竖向滑块和机架上均设置有限制横向滑块行程的定位螺栓。
与现有技术相比,本实用新型具有如下优点:
1.整个机构部件少,结构简洁,成本低,易于实现;
2.同一宽度方向的缓冲带进行了二次压着,对缓冲带利用率高,大大消减了对材料的浪费,节省了生产成本;
3.采用PLC自动控制,工作效率高。
附图说明
附图1为现有缓冲带使用后示意图;
附图2为本实用新型实施例整体结构示意图;
附图3为本实施例俯视角度结构示意图;
附图4为本实施例缓冲带使用后示意图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,下面将结合具体实施例及附图对本实用新型结构原理作进一步详细描述:
如附图2~3所示,本方案提出了一种缓冲带压着机构,采用PLC控制,大大提高了缓冲带的利用率,降低了生产成本。该机构主要包括一机架1,在机架上安装有一竖直固定的滑轨8,该滑轨8的滑块上固定有一竖向滑块7,在竖向滑块7上安装有一偏移组件6,偏移组件6上安装有金属压着头5,金属压着头5用于直接施加压力于缓冲带9。偏移组件6用于驱动金属压着头5沿缓冲带9宽度方向来回偏移,而竖向滑块则可带动整个偏移组件6、金属压着头上下移动,实现对缓冲带9的按压动作。
本实施例的偏移组件6包括一固定金属压着头的横向滑块61,横向滑块61安装于导轨62上,横向滑块61通过一气缸63驱动,气缸63与竖向滑轨8相垂直。
为了保证偏移组件6驱动金属压着头5的偏移行程,在竖向滑块7和机架上均设置有限制横向滑块61行程的定位螺栓71。
而缓冲带9则缠绕于一主动卷取轮2和从动卷取轮3上,其中主动卷取轮2通过步进电机4驱动,主动卷取轮2、从动卷取轮3已极步进电机4均安装于机架上。
工作时,在偏移组件6的控制下金属压着头5靠近内侧,金属压着头5沿滑轨8下移实现一次压着动作,上移复位之后金属压着头5在偏移组件6的气缸63驱动下向外偏移预订尺寸,同时主动卷取轮2在步进电机4的驱动下移动一小距离,然后金属压着头5再次沿滑轨8下移实现再一次压着动作,上移复位、气缸63也复位。然后主动卷取轮2再转动一较大尺寸进入另一循环。压着后的缓冲带如附图4所示。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造