[实用新型]用于半导体器件生产环境评估的取样装置

权利要求书

1.一种用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，包括：

腔室，其具有开口和用于盖住所述开口的封盖，所述腔室用于放置待进入所述半导体器件生产环境的样品，所述样品释放多种污染气体；

进气管和出气管，分别设置于所述腔室的两侧，所述进气管通入高纯度气体到所述腔室中，所述出气管取样所述腔室中的气体混合物；

进气阀，设置于所述进气管中，用于控制所述高纯度气体的通入量；

出气阀，设置于所述出气管中，用于控制所述气体混合物的取样量。

2.如权利要求1所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述高纯度气体为氮气或惰性气体中的一种。

3.如权利要求1所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述腔室的材料为不锈钢或可溶性聚四氟乙烯塑料。

4.如权利要求1所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述腔室的体积为30升～200升。

5.如权利要求1所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述腔室的形状为长方体。

6.如权利要求5所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述腔室的长度为20厘米～80厘米，宽度为20厘米～80厘米，高度为20厘米～100厘米。

7.如权利要求1所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述腔室内保持恒定的温度和压强，所述温度为-5摄氏度～50摄氏度，所述压强为0.5个大气压～3.0个大气压。

8.如权利要求7所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述取样装置还包括加热板，所述加热板位于所述腔室外并与所述腔室接触。

9.如权利要求7所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述取样装置还包括压力计，所述压力计设置于所述进气管上，用于记录所述腔室内的压强。

10.如权利要求1所述的用于半导体器件生产环境评估的取样装置，其特征在于，所述进气管和所述出气管相对设置。