[实用新型]氮化铝铜金属化陶瓷基板有效

专利信息
申请号: 201020197717.7 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN201681922U 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 刘志平;郝宏坤;扬哲;李晓蒙;张文娟 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 夏素霞
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 氮化 金属化 陶瓷
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种陶瓷基板,尤其涉及一种用于大功率器件的氮化铝铜金属化陶瓷基板。

背景技术

目前使用的氮化铝铜金属化陶瓷基板是在氮化铝陶瓷上涂覆一层铜金属化层,这种氮化铝铜金属化陶瓷基板充分利用了氮化铝陶瓷的高导热性和铜金属的高导电性,将氮化铝陶瓷和铜金属结合起来能够实现基板的高散热性和高导电性,能够承载大电流和高功率,但是在形成铜金属化层时需要对氮化铝表面进行氧化处理,而对于氮化铝陶瓷表面氧化层的厚度是很难精确控制的,因此,不仅增加了工艺难度,而且降低了氮化铝和铜金属之间的结合强度,影响整个器件的可靠性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中的缺点提供一种结合强度高、导热导电性能好、工艺易于控制的氮化铝铜金属化陶瓷基板。

为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:一种氮化铝铜金属化陶瓷基板,在氮化铝陶瓷基板上涂覆有铜金属化层,在氮化铝陶瓷基板和铜金属化层之间设有钨或钼或钨钼金属化层。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于:1)由于氮化铝陶瓷和铜金属的热膨胀系数相差较大,因此在使用中易产生热应力,在氮化铝陶瓷和铜金属之间制备一层钨或钼或钨钼金属化层,作为过渡层的钨或钼或钨钼金属化层缓解了热应力造成的影响,提高了基板的可靠性;2)在制备工艺上很容易实现钨或钼或钨钼金属化层与氮化铝陶瓷的高强度结合,解决了以往只能依靠在氮化铝陶瓷表面进行氧化处理后才能实施铜金属化的问题,从而实现了铜层和氮化铝层的良好结合,并使电镀的铜金属层厚度均匀一致。

附图说明

图1是本实用新型氮化铝陶瓷基板的结构示意图;

图中:1-氮化铝陶瓷基板,2-钨或钼或钨钼金属化层,3-铜金属化层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

实施例一

参见图1,一种氮化铝铜金属化陶瓷基板,主要由氮化铝陶瓷基板1、钨或钼或钨钼金属化层2和铜金属化层3构成,本实施例中选用的是钨钼金属化层2。具体地说是在氮化铝陶瓷基板1上制备有钨钼金属化层2,在钨钼金属化层2上电镀铜金属化层3。氮化铝陶瓷基板1作为骨架材料,制成板状,然后在其表面实现厚膜的钨钼金属化层2,并形成导电图形,最后利用电镀工艺,在钨钼金属化层2表面电镀铜金属化层3。由于钨或钼或钨钼金属化层2与氮化铝陶瓷基板1的结合强度大,因此利用制备在氮化铝陶瓷基板1表面的钨或钼或钨钼金属化层2实现了氮化铝陶瓷基板1与铜金属化层3的良好结合。钨、钼这两种金属材料本身也具有高的导热特性,从而对氮化铝陶瓷基板1的导热性能影响较小,可用于高功率的电子器件中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所,未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020197717.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top