[实用新型]防漏电变压器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种变压器，具体地说是防漏电变压器。

背景技术

目前，Y电容广泛的应用在开关电源中，但Y电容的存在使输入和输出线间产生漏电流。具有Y电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此一些手机制造商目前开始采用无Y电容的充电器。然而摘除Y电容对EMI的设计带来了困难。具有频抖和频率调制的脉宽调制器可以改善EMI的性能，但不能绝对的保证充电器通过EMI的测试，必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使充电器满足EMI的标准。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的是针对现有技术存在的不足，提供一种防漏电效果极好的变压器。

技术方案：为实现上述发明目的，本实用新型采用的技术方案为一种防漏电变压器，包括卷线轴，在卷线轴内侧底部设有第一电容层Cm，在第一电容层Cm上方设有初级绕组层Np，在初级绕组层Np层间设有第二电容层Cp，在初级绕组层Np上方设有第三电容层Cs，在第三电容层Cs上方设有次级绕组层Ns，其中在卷线轴与第一电容层Cm之间设有第一屏蔽层，在第三电容层Cs层间设有第二屏蔽层，在次级绕组层Ns上方设有第四电容层Ct，在次级绕组层Ns一端设有负极与其相接的第一二极管D1，在第四电容层Ct上方设有辅助绕组层Nau，在第四电容层Ct层间设有辅助屏蔽层，在辅助绕组层Nau与次级绕组层Ns相同的一端设有负极与其相接的第二二极管D2。

所述初级绕组层Np有四层。

所述第二电容层Cp有三层。

所述第三电容层Cs有两层。

所述第四电容层Ct有两层。

所述第一屏蔽层为铜皮屏蔽层。

所述第二屏蔽层为铜皮屏蔽层。

所述辅助屏蔽层为铜皮屏蔽层。

有益效果：本实用新型通过对产品结构的改进，使其具有非常高的防漏电性能。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图；

图2是现有技术原理图；

图3是本实用新型原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

如图1所示，一种防漏电变压器，包括卷线轴1，在卷线轴1内侧底部设有第一电容层Cm2，在卷线轴1与第一电容层Cm2之间设有第一屏蔽铜皮层7，在第一电容层Cm2上方设有四层初级绕组层Np3，在四层初级绕组层Np3层间分别设有三层第二电容层Cp4，在初级绕组层Np3上方设有两层第三电容层Cs5，在第三电容层Cs5层间设有第二屏蔽铜皮层8，在第三电容层Cs5上方设有次级绕组层Ns6，在次级绕组层Ns6上方设有两层第四电容层Ct9，在次级绕组层Ns6一端设有负极与其相接的第一二极管D112，在第四电容层Ct9上方设有辅助绕组层Nau10，在第四电容层Ct9层间设有辅助屏蔽铜皮层11，在辅助绕组层Nau10与次级绕组层Ns6相同的一端设有负极与其相接的第二二极管D213。

工作原理：电压没有变化的点称为静点或冷点(图中为黑点表示，下同)，电压变化的点称为动点或热点。初级的地和Vin都是冷点，对于辅助绕组和输出绕组，冷点可以通过二极管的位置进行调整。去除Y电容无法有效的旁路共模电流，导到共模电流噪声过大，无法通过测试标准，设计的方法是改进变压器的结构。一般的法加利屏蔽方法不能使设备在无Y电容的情况下通过EMI的测试。由于MOSFET的漏极端的电压变化幅值大，主要针对这个部位进行设计。永远注意：电压的变化是产生差模及共模电流的主要原因，寄生电容是其流动的通道。初级层间电容的电流一部分形成差模电流，有一部分也会形成共模电流，这也表明差模和共模电流可以相互的转换。如果按图2结构安排冷点和绕组，在没有Y电容时，基于电压改变的方向可以得到初级绕组与次级绕组及辅助绕组和次级绕组层间电容的电流的流动方向，初级绕组和辅助绕组的电流都流入次级绕组中。