[实用新型]包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件有效
| 申请号： | 201020194035.0 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN201732788U | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡文钦;梁伟成 | 申请（专利权）人： | 美禄科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/92;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 极性 晶体管 电容 半导体 元件 | ||
1.一种包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于包含：
基板；
外延层，形成于该基板上；
复数个隔离埋层，分别将该外延层隔离为复数个元件区；
复数个隔离绝缘层，分别形成于各隔离埋层上；
复数个双极性晶体管，分别形成于各元件区中；
保护绝缘层，覆盖于各元件区及隔离绝缘层上；
至少一个薄枚电容，形成于该保护绝缘层上对应于隔离绝缘层的位置。
2.如权利要求1所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容为多晶硅层-绝缘层-多晶硅层电容。
3.如权利要求1所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容为多晶硅层-绝缘层-金属层电容。
4.如权利要求1所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容为金属层-绝缘层-金属层电容。
5.如权利要求1所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容的绝缘层可选择为氧化层或氧化层-氮化层-氧化层。
6.一种包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于包含：
基板；
外延层，形成于该基板上；
复数个隔离埋层，分别将该外延层隔离为复数个元件区；
复数个隔离绝缘层，分别形成于各隔离埋层上；
复数个双极性晶体管，分别形成于各元件区中；
保护绝缘层，覆盖于各元件区及隔离绝缘层上；
至少一薄枚电容，形成于该保护绝缘层上对应于各双极性晶体管以外的区域。
7.如权利要求6所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容为多晶硅层-绝缘层-多晶硅层电容。
8.如权利要求6所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容为多晶硅层-绝缘层-金属层电容。
9.如权利要求6所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容为金属层-绝缘层-金属层电容。
10.如权利要求6所述的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于：
各薄枚电容的绝缘层为氧化层或氧化层-氮化层-氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
