[实用新型]一种用于处理SOI结构的真空处理系统

权利要求书

1.一种用于处理于绝缘体衬底上具有半导体材料的工艺片的真空处理系统，其中，包括：

具有多个传输口的传输室，其中设置有至少一个工艺片传送装置，所述工艺片可以通过所述工艺片传送装置经过上述传输口被传输；

与所述多个传输口中的至少一个相联接的真空锁，其用于连接所述传输室和外界环境，以在不损失所述传输室内的真空的前提下在外界环境和所述传输室之间进行工艺片传输；

与所述多个传输口中的至少一个相联接的处理室，所述工艺片在所述处理室中进行制程处理，其中，所述处理室内设置有静电夹持装置，在制程处理时，所述工艺片被静电夹持于该静电夹持装置上；

与所述多个传输口中的至少一个相联接的工艺片预处理室，其中，所述工艺片预处理室包括：

一个或多个工艺片支撑装置；

一个或多个预处理装置，其用于在工艺片被送入所述处理室处理之前或在处理的过程中对所述工艺片进行预处理，以使得所述工艺片整体上呈现为平坦面。

2.根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，所述预处理装置用于对所述工艺片进行加热，所述真空处理系统还包括控制装置，其用于检测所述工艺片的表面温度，当所述工艺片的表面温度达到一个预定阈值时，则发送一个停止信号以指示所述预处理装置停止对所述工艺片进行加热，以使所述工艺片平坦化。

3.根据权利要求2所述的真空处理系统，其特征在于，所述预处理装置是基于热交换或辐射提供热量。

4.根据权利要求3所述的真空处理系统，其特征在于，当所述预处理装置的加热机制为热交换时，所述预处理装置包括设置于所述工艺片预处理室壁的一个或多个电阻丝，并且，所述工艺片预处理室还 包括一个气体通入装置，其用于对所述工艺片预处理室中通入气体以在所述一个或多个电阻丝和所述工艺片表面提供热交换媒介。

5.根据权利要求4所述的真空处理系统，其特征在于，所述气体通入装置还用于往所述预处理装置中通入一热气体，通过所述热气体用于对工艺片进行加热。

6.根据权利要求1～5任一项所述的真空处理系统，其特征在于，所述预定阈值的数值能够使得所述工艺片的凸起厚度小于0.5mm。

7.根据权利要求6所述的真空处理系统，其特征在于，所述的预定阈值的取值范围为40℃～150℃。

8.根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，所述于绝缘体衬底上具有半导体材料的工艺片包括于玻璃衬底上具有半导体材料的工艺片。

9.根据权利要求8所述的真空处理系统，其特征在于，所述于玻璃衬底上具有半导体材料的工艺片包括于玻璃衬底上具有硅材料的工艺片。

10.一种用于处理于绝缘体衬底上具有半导体材料的工艺片的真空处理系统，其中，包括：

具有多个传输口的传输室，其中设置有至少一个工艺片传送装置，所述工艺片可以通过所述工艺片传送装置经过上述传输口被传输；

与所述多个传输口中的至少一个相联接的处理室，所述工艺片在所述处理室中进行制程处理，其中，所述处理室内设置有静电夹持装置，在工艺处理时，所述工艺片被静电夹持于该静电夹持装置上；

一个与所述多个传输口的其中一个相联接的真空锁，其用于连接所述传输室和外界环境，以在不损失所述传输室内的真空的前提下在外界环境和所述传输室之间进行工艺片传输；所述真空锁还包括一个或多个工艺片支撑装置，所述真空锁还包括一个或多个预处理装置，

所述预处理装置用于在工艺片被送入所述处理室处理之前或在处理的过程中对所述工艺片进行预处理，以使得所述工艺片整体上呈 现为平坦面。

11.根据权利要求10所述的真空处理系统，其特征在于，所述预处理装置用于对所述工艺片进行加热，所述真空处理系统还包括控制装置，其用于检测所述工艺片的表面温度，当所述工艺片的表面温度达到一个预定阈值时，则发送一个停止信号以指示所述真空锁停止对所述工艺片进行加热，以使所述工艺片平坦化。

12.根据权利要求11所述的真空处理系统，其特征在于，所述真空锁是基于热交换或辐射提供热量。