[实用新型]一种可调电流大小的电流源装置

权利要求书

1.一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于包括电流提供/限制电路、固定电压提供电路、PMOS晶体管、第一三极管、第二三极管和外接电阻，所述的电流提供/限制电路具有第一连接端和第二连接端，所述的固定电压提供电路具有第三连接端和第四连接端，所述的电流提供/限制电路的第一连接端接电源电压，所述的电流提供/限制电路的第二连接端与所述的第一三极管的集电极相连接，所述的第一三极管的发射极与所述的固定电压提供电路的第三连接端相连接，所述的第一三极管的基极分别与所述的第一三极管的集电极和所述的第二三极管的基极相连接，所述的第二三极管的集电极与所述的PMOS晶体管的漏极相连接，所述的PMOS晶体管的栅极与所述的PMOS晶体管的漏极相连接，所述的PMOS晶体管的源极接电源电压，所述的第二三极管的发射极与所述的外接电阻的第一端相连接，所述的外接电阻的第二端和所述的固定电压提供电路的第四连接端均接电源地。

2.根据权利要求1所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的电流提供/限制电路包括一个电阻，所述的电阻的第一端接电源电压，所述的电阻的第二端与所述的第一三极管的集电极相连接；或所述的电流提供/限制电路包括一个通过镜像方式从其他电流源装置得到的微小电流，所述的微小电流流向所述的第一三极管的集电极。

3.根据权利要求1或2所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的固定电压提供电路包括一个齐纳二极管，所述的齐纳二极管的阴极与所述的第一三极管的发射极相连接，所述的齐纳二极管的阳极接电源地；或所述的固定电压提供电路包括一个通过带隙基准调整得到的基准电压，所述的基准电压的正端与所述的第一三极管的发射极相连接，所述的基准电压的负端接电源地。

4.根据权利要求3所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的第一三极管和所述的第二三极管均为NPN型的三极管。

5.根据权利要求4所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的第一三极管和所述的第二三极管构成对管结构，所述的第一三极管和所述的第二三极管均工作在线性区时，所述的PMOS晶体管工作在饱和区。

6.一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于包括电流提供/限制电路、固定电压提供电路、NMOS晶体管、第一三极管、第二三极管和外接电阻，所述的电流提供/限制电路具有第一连接端和第二连接端，所述的固定电压提供电路具有第三连接端和第四连接端，所述的固定电压提供电路的第三连接端接电源电压，所述的固定电压提供电路的第四连接端与所述的第一三极管的发射极相连接，所述的第一三极管的集电极与所述的电流提供/限制电路的第一连接端相连接，所述的第一三极管的基极分别与所述的第一三极管的集电极和所述的第二三极管的基极相连接，所述的第二三极管的发射极与外接电阻的第一端相连接，所述的外接电阻的第二端接电源电压，所述的第二三极管的集电极与所述的NMOS晶体管的漏极相连接，所述的NMOS晶体管的栅极与所述的NMOS晶体管的漏极相连接，所述的NMOS晶体管的源极与所述的电流提供/限制电路的第二连接端均接电源地。

7.根据权利要求6所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的固定电压提供电路包括一个齐纳二极管，所述的齐纳二极管的阴极接电源电压，所述的齐纳二极管的阳极与所述的第一三极管的发射极相连接；或所述的固定电压提供电路包括一个通过带隙基准调整得到的基准电压，所述的基准电压的正端接电源电压，所述的基准电压的负端与所述的第一三极管的发射极相连接。

8.根据权利要求6或7所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的电流提供/限制电路包括一个电阻，所述的电阻的第一端与所述的第一三极管的集电极相连接，所述的电阻的第二端接电源地；或所述的电流提供/限制电路包括一个通过镜像方式从其他电流源装置得到的微小电流，所述的微小电流流向电源地。

9.根据权利要求8所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的第一三极管和所述的第二三极管均为PNP型的三极管。

10.根据权利要求9所述的一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于所述的第一三极管和所述的第二三极管构成对管结构，所述的第一三极管和所述的第二三极管均工作在线性区时，所述的NMOS晶体管工作在饱和区。