[实用新型]一种大型芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种芯片，尤其是涉及一种大型芯片。

背景技术

氮化镓（GaN）基发光二极管的发光效率随着外延技术的提升、材料品质的改善而不断得到提升。衡量发光二极管发光效率之一的内量子效率已几乎接近其理论极限，也就是说半导体发光材料在电光转换效率上已远超过其它任何发光光源，为半导体照明奠定了坚实的基础。中国专利公开了一种树形GaN基LED芯片电极（授权公告号：CN 201266611Y），其包括P型电极和N型电极，对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN表面生长一层导电薄膜，再在导电薄膜上淀积P型电极，或者直接在P型GaN表面淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极， P型电极的P型焊盘和N型电极的N型焊盘分别设置在芯片一对角线的两顶角部位，自P型焊盘的条形电极沿芯片对角线呈树形分布，自N型焊盘的条形电极沿芯片四周边缘，并有条形电极伸向芯片内部；P型条形电极沿芯片对角线呈树形分布，包括沿对角线的条形电极，以及与之相连、呈对称分布的且平行于芯片边缘的不少于两条条形电极；N型条形电极包括沿芯片边缘的边缘电极及与一侧边缘电极相连、且平行于另一侧边缘电极伸向芯片内部的条形电极，P型电极和N型电极的形状亦可互换，N型电极淀积在相应形状的沟槽内。但是这种电极的封装较为复杂，P电极区域、N电极区域的制造较为不易，制造成本较大。

实用新型内容

本实用新型是提供一种大型芯片，其主要是解决现有技术所存在的电极的封装较为复杂，P电极区域、N电极区域的制造较为不易，制造成本较大等的技术问题。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

本实用新型的一种大型芯片，包括壳体，其特征在于所述的壳体为二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上设有P电极区域与N电极区域，二氧化硅保护层下方设有透明接触电极层，P电极区域、N电极区域的下方分别设有P型GaN、N型GaN，N型GaN的下方依次设有衬底、反射层。P电极区域、P型GaN与N电极区域、N型GaN可以互换，二氧化硅保护层上可以开有沟槽，用来固定P电极区域与N电极区域。

作为优选，所述的P电极区域为“山”字型，其两端的转角处为圆形的P电极部位；N电极区域由主引线以及四根平行的支引线组成，支引线与主引线垂直，其两端的转角处为矩形的N电极部位，N电极区域与P电极区域互相交错设置。P电极区域与N电极区域互相交错相对设置，即节约了排布空间，又使加工较为方便。

作为优选，所述的P型GaN与N型GaN之间设有发光层，可以在使用时发光。

作为优选，所述的衬底为蓝宝石衬底。

作为优选，所述的二氧化硅保护层为正方形，其边长为1200μm，整体尺寸较小，适用于不同的电子元器件。

因此，本实用新型电极的封装较为简单，P电极区域、N电极区域的制造较为容易，制造成本较低，具有结构简单、合理等特点。

附图说明

附图1是本实用新型的一种结构示意图；

附图2是P电极区域的剖面结构示意图；

附图3是N电极区域的剖面结构示意图。

图中零部件、部位及编号：二氧化硅保护层1、 P电极部位2 、N电极部位3、透明接触电极层4 、P型GaN5 、N型GaN6、衬底7、反射层8、发光层9。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。

实施例：本例的一种大型芯片，如图1，有一个二氧化硅保护层1，二氧化硅保护层为正方形，其边长为1200μm，二氧化硅保护层上开有沟槽，沟槽内设有P电极区域与N电极区域，其中P电极区域为“山”字型，其两端的转角处为圆形的P电极部位2；N电极区域由主引线以及四根平行的支引线组成，支引线与主引线垂直，其两端的转角处为矩形的N电极部位3，N电极区域与P电极区域互相交错设置。如图2、图3，二氧化硅保护层下方设有透明接触电极层4，P电极区域、N电极区域的下方分别设有P型GaN5、N型GaN6，P型GaN与N型GaN之间设有发光层9。N型GaN的下方依次设有蓝宝石的衬底7、反射层8。

使用时，将整个芯片制作机构装入电子元器件，接通P电极部位2 、N电极部位3即可。

以上所述仅为本实用新型的具体实施例，但本实用新型的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新型的专利范围之中。