[实用新型]GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构无效
| 申请号： | 201020167239.5 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN201667343U | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;李洪斌;王建华;刘存志 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 管芯 透明 导电 薄膜 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构，自下而上依次为蓝宝石衬底、N型GaN、量子阱有源层和P型GaN层，其特征是：在P型GaN层的表面分布有按周期间隔排列的圆柱状突起，周期排列的圆柱状突起上均匀镀有一层透明导电薄膜。
2.一种GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构，自下而上依次为蓝宝石衬底、N型GaN、量子阱有源层和P型GaN层，其特征是：P型GaN层的表面设有一层透明导电薄膜，在该透明导电薄膜层上分布有按周期间隔排列的圆柱状突起。
3.根据权利要求1或2所述的GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构，其特征是：所述透明导电薄膜层的厚度为100nm-200nm。
4.根据权利要求1或2所述的GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构，其特征是：所述圆柱状突起之间的间隔周期为10um-15um。
5.根据权利要求1或2所述的GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构，其特征是：所述圆柱状突起的直径为1um-3um。
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