[实用新型]一种太阳能电池表面三层减反钝化膜有效

专利信息
申请号: 201020166501.4 申请日: 2010-04-20
公开(公告)号: CN201655812U 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 陈亮 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 表面 三层 钝化
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种太阳能电池表面三层减反钝化膜。

背景技术

太阳能电池工艺中,表面减反膜的工艺是很重要的一步,它直接决定了太阳能电池能吸收了多少太阳光。

传统的太阳能电池表面减反膜是采用氮化硅薄膜,氮化硅作为表面减反膜的特点是,工艺简单,易于产业化生产,成本较低,但缺点也很明显是:氮化硅作为减反膜在电池和组件上,氮化硅薄膜的折射率与厚度无法同时匹配到最佳值,导致组件端在封装后存在一定的封装损失;同时由于主要考虑氮化硅薄膜的光学性能,因此在钝化效果上也无法达到最佳,造成电池效率一定程度上的损失;而且传统的氮化硅减反膜在折射率与厚度的设计上,从电池角度与组件角度分别考虑存在较大的差异,所以需要一种新的减反膜设计来减少这种差异造成的损失。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:为了降低太阳电池表面的反射率,提高钝化效果,并使之能与组件相匹配,减少组件封装损失,本实用新型提供一种一种太阳能电池表面三层减反钝化膜。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能电池表面三层减反钝化膜,该减反膜是在硅片衬底表面上沉积一层第一氮化硅薄膜,在第一氮化硅薄膜表面上再沉积一层第二氮化硅薄膜,再在第二氮化硅薄膜表面上沉积一层二氧化硅薄膜。

为了使太阳能电池表面的钝化效果提高,第一氮化硅薄膜的厚度为10~50纳米,折射率为2.5~3.0。

为了降低太阳能电池表面的折射率,第二氮化硅薄膜的厚度为30~100纳米,折射率为1.8~2.2。

为了使得封装后不因折射率不匹配而造成光学损失,二氧化硅薄膜的厚度为5~200纳米,折射率为1.1~2.0。

本实用新型的有益效果是,本实用新型采用了多层增透膜设计,可以提高太阳能电池表面钝化效果,降低太阳能电池表面反射率。二氧化硅薄膜的折射率与组件封装材料EVA及玻璃的折射率基本相同,所以封装后不会因折射率不匹配而造成的光学损失,二氧化硅薄膜与EVA材料性质相同,在组件层压时,界面处会有更好的接合,由于第二氮化硅薄膜及二氧化硅薄膜的存在,使得第一氮化硅薄膜在工艺设计时可以充分考虑钝化效果,使太阳电池的表面钝化效果提高,从而提升电池效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型一种太阳能电池表面三层减反钝化膜的结构示意图。

图中:1.硅片衬底,2.第一氮化硅薄膜,3.第二氮化硅薄膜,4.二氧化硅薄膜。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示的本实用新型一种太阳能电池表面三层减反钝化膜的实施例,一种太阳能电池表面三层减反钝化膜,是在硅片衬底1表面上沉积一层第一氮化硅薄膜2,在第一氮化硅薄膜2表面上再沉积一层第二氮化硅薄膜3,再在第二氮化硅薄膜3表面上沉积一层二氧化硅薄膜4,形成三层减反膜。其制作的方法如下:

第一步,在制绒后的硅片衬底1表面上用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积一层第一氮化硅薄膜2,该层的厚度为20纳米,折射率为2.5,是作为太阳电池表面的钝化层,同时再配合上面的其他两层薄膜结构形成高效减反结构;

第二步,在第一氮化硅薄膜2表面上用等离子体化学气相沉积法(PECVD)再沉积一层第二氮化硅薄膜3,该层的厚度为40纳米,折射率为1.9,主要作用是匹配折射率,增加电池表面的光吸收;

第三步,将前面制作好的表面清洗、制绒、扩散,再在第二氮化硅薄膜3表面上用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积一层二氧化硅薄膜4,该层的厚度为50纳米,折射率为1.46,主要作用是形成表面减反结构,使三层膜配合形成一套完整的表面减反结构。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

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