[实用新型]阵列基板有效
申请号: | 201020165464.5 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN201638817U | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 于洋 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示器技术领域,尤其涉及一种阵列基板。
背景技术
如图1所示,TFT阵列基板上位于液晶盒外的栅极扫描线Pad区域,该区域是连接液晶盒内的栅极扫描线与盒外COF的区域。该区域依次包括:基板10、栅极扫描线11、栅极绝缘层12、钝化层14、透明导电层15。在靠近显示区的部位有封框胶16和通过该封框胶相连的彩膜玻璃基板。如果该区域发生腐蚀将造成液晶盒内信号丢失,使液晶面板无法使用。目前保护该栅极扫描线Pad区域的方法主要有PVX保护层、硅胶涂覆覆盖、ACF溢胶覆盖。
然而,发明人发现使用现有PVX保护层方法保护该栅极扫描线Pad区域时,PVX层容易受伤脱落使该Pad区域的栅极扫描线处的金属层裸露在外。使用硅胶涂覆覆盖方法时,硅胶涂覆的位置和硅胶用量总有一定波动,使其有一定概率不能完全覆盖全部的栅极扫描线的Pad区域。使用ACF溢胶覆盖方法时,ACF溢胶受ACF用量、放置位置和COF的切割长短的影响,而这三者都有一定波动,也会造成上述栅极扫描线的Pad区域覆盖不完全。这些方法在使用过程中容易造成液晶盒外的栅极扫描线发生腐蚀,进而导致栅极扫描线接触不良,使液晶面板报废。
发明内容
本实用新型的实施例提供一种阵列基板,提高了位于液晶盒外的栅极扫描线的抗腐蚀性。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一种TFT阵列基板,包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管,该薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连;所述栅极扫描线延伸至液晶盒外形成栅极扫描线的PAD区域;所述PAD区域中的栅极扫描线之上设有有缘保护层。
本实用新型的实施例提供的阵列基板,所述栅极扫描线延伸至液晶盒外形成栅极扫描线的PAD区域,由于在该PAD区域中的栅极扫描线之上设有有缘保护层,该有缘保护层对该PAD区域中的栅极扫描线提供保护,在采用现有的保护措施失效的情况下还可以防止该PAD区域中的栅极扫描线受到腐蚀,提高了该Pad区域中的栅极扫描线的抗腐蚀性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中TFT阵列基板上栅极扫描线Pad区域的截面图;
图2为实施例中TFT阵列基板上栅极扫描线Pad区域的截面图;
图3为实施例中阵列基板制造的第一过程;
图4为实施例中阵列基板制造的第二过程;
图5为实施例中阵列基板制造的第二过程中的示意图;
图6为实施例中阵列基板制造的第三过程;
图7为实施例中阵列基板制造的第四过程;
图8为实施例图7中A-A′向局部剖面图。
具体实施方式
本实用新型实施例中的TFT阵列基板,包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管,该薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连。所述栅极扫描线延伸至液晶盒外形成栅极扫描线的PAD区域。所述PAD区域中的栅极扫描线之上设有有缘保护层。
由于在所述PAD区域中的栅极扫描线之上设有有缘保护层,该有缘保护层对该PAD区域中的栅极扫描线提供保护,使得本实用新型实施例中的阵列基板在采用现有的保护措施失效的情况下,所述有缘保护层还可以防止阵列基板上所述PAD区域中的栅极扫描线受到腐蚀,提高了该Pad区域中的栅极扫描线的抗腐蚀性。
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的