[实用新型]基于双重销毁技术的高保密固态硬盘产品

说明书

技术领域

本实用新型专利涉及固态存储安全领域。 

背景技术

随着信息化时代的到来，以计算机为犯罪手段和以计算机信息为犯罪目标的犯罪活动也在增加。政府机关、军队、企业和很多普通用户面临着：计算机上的机密文件删除时必须要彻底地销毁，不留一点痕迹，不能够被恢复。 

发明内容

本实用新型设计旨在提供一种固态硬盘双重数据销毁的方式和装置。 

双重数据销毁方式包括： 

软销毁。固态硬盘控制器接收到软销毁信号，通过对存储介质的擦写操作，将存储在Flash阵列的信息覆盖。固态硬盘可再次使用。整个销毁过程可以在30秒内完成。销毁时间与固态硬盘的容量成正比。 

硬销毁。对硬件的操作，硬销毁信号发出后，通过高电压击穿固态硬盘主控以及NANDFLASH IO口。彻底摧毁物理介质，固态硬盘不再可用，保证数据不被恢复。整个过程可在短短的几秒钟内完成。销毁时间与固态硬盘的容量大小没有直接关系。 

固态硬盘双重数据销毁装置包括：固态硬盘主控部、NAND Flash阵列、单片机、升压电路，其中升压电路与固态硬盘主控部、NAND Flash阵列、单片机连接，固态硬盘主控部与NANDFlash阵列连接。 

当MCU单片机接收到用户发出的数据自毁命令时，MCU单片机给升压模块输入一个使能信号，使升压模块输出高压，待升压输出电压稳定后，MCU单片机发出一个开关使能信号，将高压通过高压开关导入固态硬盘主控制部分和FLASH的I/O端口，从而将固态硬盘主控制部分和FLASH击穿，彻底销毁FLASH中的数据。 

固态硬盘主控部分，控制对NAND FLASH阵列的管理，包括对NAND FLASH读写和擦除操作、坏块管理、ECC校验、均衡损耗算法、控制SATA接口与主机通讯等等。 

NAND Flash阵列，存储介质，用来记录存储的信息。 

单片机，单片机控制对外部物理销毁触发输入的销毁控制。 

升压电路，升压电路将外部5V电压升压将控制器及Flash IO口击穿。 

本实用新型设计结合窃密者可能采用的各种窃密途径，系统研究数据销毁的方式，成功 设计出双重销毁方式，由于采用固态存储技术，在销毁触发后，进入数据销毁状态，存储数据的存储介质可以在几秒钟内彻底销毁。 

附图说明

图1：基于双重销毁示技术的高保密固态硬盘产品结构示意图。 

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施实例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。 

在本发明方案中，通过使用一个升压模块，并利用MCU单片机控制升压模块的开启，从而利用高压作用于SSD固态硬盘主控制部分和FLASH，将主控和FLASH击穿烧毁。 

图示出了本发明实施例提供的电子硬盘结构框图，该电子硬盘可以为电子设备的存储设备，当然电子设备可以为计算机、电视机或机顶盒。 

当MCU单片机接收到用户发出的数据自毁命令时，MCU单片机给升压模块输入一个使能信号，使升压模块输出高压，待升压输出电压稳定后，MCU单片机发出一个开关使能信号，将高压通过高压开关导入固态硬盘主控制部分和FLASH的I/O端口，从而将固态硬盘主控制部分和FLASH击穿，彻底销毁FLASH中的数据。 

当电子硬盘上的MCU单片机未接收到输入触发信号时，由主板电源对SSD固态硬盘主控制部分进行正常供电，使控制器和FLASH正常工作。 

作为本发明的实施例，该数据自毁信号为一个电平信号，低电平有效。当给触发信号一个宽度大于1s的低电平时，MCU单片机将相应这个触发电平，执行销毁控制操作。 

升压模块主要完成电压的转换功能。其输入电压为SSD固态硬盘主控制部分5V接口输入，输出为一高电压，其高电压的电平的为20V。 

高压开关，主要完成将20V高压信号导入给控制器和FLASH的IO口，从而将SSD固态硬盘主控制部分彻底销毁。 

MCU单片机为销毁控制的大脑。主要接收来自触发输入端的输入信号，当确定有销毁信号输入时，将进行一系列的控制操作，包括使能升压模块、使能高压开关的动作开启等。确保销毁操作能有序执行。 

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。