[实用新型]一种平板PECVD氮化硅覆膜系统无效
| 申请号: | 201020158421.4 | 申请日: | 2010-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN201648518U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
| 发明(设计)人: | 张振厚;赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;段鑫阳;徐宝利;钟福强;陆涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/513 |
| 代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 张志伟 |
| 地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及氮化硅(SiNx)薄膜领域,具体为一种平板PECVD氮化硅覆膜系统。
背景技术
为了提高光伏晶硅电池光电转换效率和使用寿命,提高光伏电池的光吸收率,在光伏晶硅电池表面制备减反射薄膜主要采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),同时还起到体钝化和面钝化作用,降低光伏电池组件的衰减速度,等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)是制备薄膜材料的几种方法中技术最为成熟、操作较为简单的一种,联续自动化生产。现阶段在光伏生产领域使用的制备氮化硅薄膜的设备有两种,一种为管式结构的PECVD设备,这种结构的设备单次生产时间过长,导致产量很低,没有联续生产的能力。另一种为进口多腔室平板式PECVD设备,可以实现自动化生产,但非模块化设计,成本很高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种平板PECVD氮化硅覆膜系统,解决现有技术中存在的生产时间长、成本较高等问题。本实用新型采用模块化设计的三腔室在真空条件下工作的SD30大型平板PECVD氮化硅覆膜系统,可根据现场需要选配电池片机械手,最终实现全自动无人化生产运行。
本实用新型的技术方案是:
一种平板PECVD氮化硅覆膜系统,该系统设有装载腔、工艺腔和卸载腔,装载腔、工艺腔和卸载腔为模块化的三个腔体,装载腔和工艺腔相通,工艺腔和卸载腔相通。
所述的平板PECVD氮化硅覆膜系统,装载腔的外侧依次设置装载台和进载台,卸载腔的外侧依次设置卸载台和出载台。
所述的平板PECVD氮化硅覆膜系统,在装载台和卸载台处安装用于装卸光伏晶硅片的机械手。
所述的平板PECVD氮化硅覆膜系统,真空抽气系统I与装载腔连通,真空抽气系统II与工艺腔连通,真空抽气系统III与卸载腔连通。
所述的平板PECVD氮化硅覆膜系统,装载腔、工艺腔、卸载腔分别与氮气回填系统连通。
本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型包括进载台、装载台、装载腔、工艺腔、卸载腔、卸载台、出载台、氮气回填系统、真空抽气系统、气路系统、电控系统、自控系统及各辅助系统等,采用高产量、镜像式设计,它是可根据用户量身定做的一种模块化三腔室(装载腔、工艺腔和卸载腔)在真空条件下工作的SD30大型平板PECVD氮化硅覆膜系统。
2、本实用新型在工作的情况下,同样能达到管式PECVD和进口平板式PECVD的技术指标,例如:
(1)可无人全自动或手动实现光伏电池片氮化硅(SiNx)薄膜制备,全程用工业微机实现自动控制;
(2)更高的性能价格比;
(3)高产量34MW/年(1890片/每小时);
(4)膜厚均匀性片内(125mm×125mm)≤±2.5%,片间≤±4%,批间≤±4%;
(5)折射率范围:2.0~2.1批次的一致性:±1.5%;
(6)具有完善的报警功能及安全互锁装置;
(7)快速冷却;
(8)成膜温度400~450℃连续可调;
(9)可根据用户量身定制多腔体多工位组合,适用于各种光伏晶硅片薄膜制备。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中,1进载台;2氮气回填系统;3装载台;4装载腔;5真空抽气系统I;6工艺腔;7真空抽气系统II;8卸载腔;9真空抽气系统III;10卸载台;11出载台。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的结构和原理作进一步详细说明。
如图1所示,本实用新型平板PECVD氮化硅覆膜系统,主要包括:进载台1、氮气回填系统2、装载台3、装载腔4、真空抽气系统I 5、工艺腔6、真空抽气系统II 7、卸载腔8、真空抽气系统III9、卸载台10、出载台11等,具体结构如下:
装载腔4、工艺腔6和卸载腔8为模块化的三个腔体,装载腔4和工艺腔6相通,工艺腔6和卸载腔8相通,装载腔4的外侧依次设置装载台3和进载台1,卸载腔8的外侧依次设置卸载台10和出载台11。真空抽气系统I 5与装载腔4连通,真空抽气系统II 7与工艺腔6连通,真空抽气系统III9与卸载腔8连通。另外,装载腔4、工艺腔6、卸载腔8分别还与氮气回填系统2连通。
本实施例中,装载腔4、工艺腔6和卸载腔8按自上而下依次设置;装载腔4的顶部依次设置装载台3和进载台1;卸载腔8的底部依次设置卸载台10和出载台11。
本实施例为SD30大型平板PECVD氮化硅覆膜系统,SD是型号,30代表30MW的产能。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司,未经中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020158421.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铝电解预焙阳极用钢爪
- 下一篇:一种穿水冷却装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





