[实用新型]一种基于硅硅键合的压力传感器

权利要求书

1.一种基于硅硅键合的压力传感器，包括衬底硅片(1)；其特征是：所述衬底硅片(1)上设有结构硅片(2)，所述结构硅片(2)与衬底硅片(1)通过硅硅键合相固定连接；所述结构硅片(2)对应于与衬底硅片(1)相接触的表面上设有浅杯槽(3)，所述浅杯槽(3)的槽底设有背岛(4)；所述浅杯槽(3)的槽口由衬底硅片(1)封闭，所述背岛(4)位于浅杯槽(3)与衬底硅片(1)相密闭的空腔内；结构硅片(2)对应于与衬底硅片(1)相连接的另一端表面设有敏感电阻(6)，所述结构硅片(2)上的敏感电阻(6)分别形成惠斯通电桥的桥臂电阻；所述敏感电阻(6)位于浅杯槽(3)槽底的上方；结构硅片(2)对应于设置敏感电阻(6)的表面上分别依次设置有氧化层(8)及绝缘介质层(9)；所述绝缘介质层(9)上设有电极(10)，所述电极(10)分别穿过绝缘介质层(9)、氧化层(8)后与敏感电阻(6)电性连接；所述结构硅片(2)上还设有对准深孔(5)，对准深孔(5)位于浅杯槽(3)的外圈；所述对准深孔(5)的深度由绝缘介质层(9)的表面延伸到衬底硅片(1)。

2.根据权利要求1所述基于硅硅键合的压力传感器，其特征是：所述绝缘介质层(9)的材料包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述基于硅硅键合的压力传感器，其特征是：所述结构硅片(2)对应于浅杯槽(3)槽底上方的表面形成压力敏感膜(7)，所述压力敏感膜(7)上设置敏感电阻(6)。

4.根据权利要求1所述基于硅硅键合的压力传感器，其特征是：所述电极(10)的材料包括铝。

5.根据权利要求1所述基于硅硅键合的压力传感器，其特征是：所述氧化层(8)为二氧化硅层。

6.根据权利要求1所述的基于硅硅键合的压力传感器，其特征是：所述衬底硅片(1)对应于与结构硅片(2)相接触的表面上设有氧化层(8)。