[实用新型]大功率LED的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光照明器件，尤其涉及一种大功率LED的封装结构。

背景技术

传统的发光二极管(LED)的封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达300℃/W，因此其只能在20mA以下的小电流及小于0.1W的条件下工作。而功率型(＞1W)LED若采用传统的封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，造成器件的光衰减加速直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。因此传统的发光二极管封装结构难以适应5W LED器件的散热需要，无法获得稳定的光输出和维持较高的器件寿命。

另一方面，目前制作白光LED的主要方法是利用蓝光LED芯片涂敷微小颗粒的非透明荧光粉通过波长转换制作白光LED。由于蓝光LED持续点亮会造成温度升高，波长转换材料会发生退化，同时由于涂敷的波长转换材料为非透明材料，在蓝光或紫外芯片发出的光通过时会发生散射吸收等现象，使得出光效率不高；同时由于涂敷厚度的不均匀会严重影响其光斑和白光色温。例如由于涂敷不均匀造成的黄色光圈、蓝色光斑、白光色温不一致等问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种热阻低、散热良好、使用寿命长的大功率发光二极管。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：大功率LED的封装结构，包括金属基板；导热层，所述导热层设于所述金属基板的上表面；绝缘层，所述绝缘层设于所述导热层的上表面；电极片，所述电极片包括正电极片和负电极片，所述正电极片和负电极片固定在所述绝缘层的上表面上；芯片体，所述芯片体包括内置LED芯片和包覆在所述LED芯片外围的荧光胶层，所述LED芯片的正、负极引脚伸出所述荧光胶层外，所述芯片体固定在所述绝缘层上且所述正负极引脚分别与所述正电极片和负电极片连接。

作为一种优选的技术方案，所述荧光胶层为采用YAG激光陶瓷和胶混合的荧光胶层。

作为一种优选的技术方案，所述金属基板的底面设有若干附有氧化铑层的散热槽。

作为一种优选的技术方案，所述导热层和所述绝缘层为采用氮化铝陶瓷材料的氮化铝陶瓷层。

作为一种优选的技术方案，所述导热层为采用氮化铝陶瓷材料的氮化铝陶瓷层，所述绝缘层为采用绝缘薄膜材料的绝缘薄膜层。

作为一种优选的技术方案，所述电极片的正电极片包括若干个第一金属片，所述第一金属片通过导线串联且所述第一金属片排布成弧状；所述电极片的负电极片包括若干个第二金属片，所述第二金属片通过导线串联且所述第二金属片排布成弧状。

作为一种优选的技术方案，所述金属基板为铝基板。

采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果：由于该大功率LED的封装结构，包括基板，基板上设置导热层和绝缘层，然后再安装电极片和芯片体，结构设计合理，热阻低，且所述芯片体的荧光胶层采用YAG激光陶瓷和胶的混合的荧光胶层，YAG激光陶瓷具有优异的高温力学性能，使大功率LED工作一段时间后，即使温度升高，荧光胶层中YAG激光陶瓷涂层仍然能正常发挥蓝光转变白光的作用，且色温柔和，从而，提高了大功率LED的使用寿命，增强了可靠性。另外，在基金属基板的底面设置附有氧化铑层的散热槽，能增强散热效果，防止热量聚集带来的温度过高损坏器件。总之，本实用新型具有热阻低、散热良好，并且使用寿命长和可靠性强。

附图说明

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进一步详细说明：

图1是本实用新型实施例的结构示意图；

图2是图1的俯视图；

图中：1、金属基板；2、氮化铝陶瓷层；3、引脚；4、光学透镜；5、荧光胶层；6、LED芯片；7、散热槽；8、电极片；81、第二金属片；82、第一金属片。

具体实施方式