[实用新型]具有短路保护功能的供电装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种供电装置，特别是涉及一种具有短路保护功能的供电装置。

背景技术

目前，多数的手持式电子装置的电源设计，多采用单一的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为电源的切换开关，如图1所示，图1是现有习知技艺的供电装置的电路示意图。而所有金属氧化物半导体场效应晶体管的PN接面(PN Junction)都具有寄生二极管(Parasitic Diode)。在图1中，电源可由电池端Vb输入，并经由金属氧化物半导体场效应晶体管控制后，由输出端Vo输出，且此金属氧化物半导体场效应晶体管为P型晶体管PMOS，此P型晶体管PMOS的漏极D、源极S及栅极G间分别有三个寄生二极管Dn1、Dn2及Dn3，且电池端Vb及输出端Vo与P型晶体管PMOS连接点分别设有第一电容C1及第二电容C2。当中央处理单元CPU正常工作时，可由接脚Pin输出低电压的信号至P型晶体管PMOS，以使P型晶体管PMOS导通，此时电流可直接由漏极D流至源极S。

当P型晶体管PMOS为截止状态，且第二电容C2在测试人员的刻意短路测试，或在无意间损毁(Crack)时，第二电容C2两端的阻抗值可能会下降至小于10欧姆(Ohm)，而流经P型晶体管PMOS的电流会非常大，由于此时P型晶体管PMOS呈现不导通状态，因此只有寄生二极管Dn1会起导通作用，且电压降约为0.7伏特(Volt)，因此流经P型晶体管PMOS的功率为电流乘上电压降，可能会达到瓦级，与P型晶体管PMOS能承受的最大功率相差甚远，且电能在P型晶体管PMOS上是以热耗散的形式表现，而可能产生达到华氏100度的高温，造成使用者或测试人员的安全问题。

由此可见，上述现有的手持式电子装置的电源的切换开关在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的具有短路保护功能的供电装置，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本实用新型的目的在于，克服现有的手持式电子装置的电源的切换开关存在的缺陷，而提供一种新型结构的具有短路保护功能的供电装置，所要解决的技术问题是使其解决当供电装置里有电子元件短路时，会产生高温的安全问题，非常适于实用。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的具有短路保护功能的供电装置，其包含一第一电源输入端、一第二电源输入端、一第一开关、一第二开关、一处理模块及一电容。第一电源输入端可提供一第一电源。第二电源输入端可提供一第二电源。第一开关连接第一电源输入端，且第一开关的两端具有一第一寄生二极管。第二开关连接于第一开关与第二电源输入端间，且第二开关的两端具有一第二寄生二极管。处理模块连接第一电源输入端、第二电源输入端、第一开关及第二开关，并根据第一电源的电压值及第二电源的电压值输出一控制信号，使第一开关及第二开关导通或关闭。电容连接于第二电源输入端及一接地端间。其中，第一寄生二极管与第二寄生二极管反向串接于第一电源输入端及第二电源输入端间，以防止当电容短路或微短路且第一开关及第二开关关闭时，电流通过第一寄生二极管及第二寄生二极管。

本实用新型的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的具有短路保护功能的供电装置，其中所述的第一开关及该第二开关是分别为一第一P型晶体管及一第二P型晶体管。

前述的具有短路保护功能的供电装置，其中所述的处理模块是以高电位的控制信号控制该第一P型晶体管及该第二P型晶体管截止，该处理模块是以低电位的控制信号控制该第一P型晶体管及该第二P型晶体管导通。

前述的具有短路保护功能的供电装置，其中所述的第一P型晶体管的漏极、栅极及源极分别连接该第一电源输入端、该控制信号的输出端及该第二P型晶体管。

前述的具有短路保护功能的供电装置，其中所述的第一P型晶体管的栅极及源极间具有一第三寄生二极管及一第四寄生二极管，且该第三寄生二极管与该第四寄生二极管反向串接。

前述的具有短路保护功能的供电装置，其中所述的第二P型晶体管的漏极、栅极及源极分别连接该第二电源输入端、该控制信号的输出端及该第一P型晶体管的源极。