[实用新型]一种采用超临界水去除光刻胶的系统有效
| 申请号： | 201020125723.1 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN201615991U | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王磊;景玉鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 临界 去除 光刻 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用超临界水去除光刻胶的系统，其特征在于，该系统包括：
氧气罐(1)，通过第一流量控制阀(3)连接于高压泵(5)；
去离子水储罐(2)，通过第二流量控制阀(4)连接于高压泵(5)；
对富氧去离子水进行加压的高压泵(5)，通过第一阀门(6)连接于加热器(7)；
对加压后的富氧去离子水进行加热的加热器(7)，连接于延伸至反应釜内部的喷嘴(11)；
安装于反应釜内部并盛放待清洗硅片的步进电机台(13)；
安装于步进电机台(13)上将反应生成的气态反应物带出反应釜的N2源(10)；
将超临界水吹射到涂有光刻胶的硅片上的喷嘴(11)；
放置于步进电机台(13)上的涂有光刻胶的硅片(12)；
安装于反应釜侧壁当压力超过设定压力值就会开启的溢流阀(15)；
连接于溢流阀(15)并对反应釜中排出的尾气进行处理的尾气处理装置(18)；
安装于反应釜底部并控制排水管道开关的第二阀门(16)；
连接于第二阀门(16)并将反应釜中的冷凝水排出的排水口(17)。
2.根据权利要求1所述的采用超临界水去除光刻胶的系统，其特征在于，该系统还包括：
安装于反应釜上壁并实时测量显示反应釜温度的温度传感器(8)。
3.根据权利要求1所述的采用超临界水去除光刻胶的系统，其特征在于，该系统还包括：
安装于反应釜上壁并实时测量显示反应釜压力的压力传感器(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020125723.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
