[实用新型]具有上部断热材的单晶炉装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种硅单晶制造装置，特别是涉及一种单晶炉装置。

背景技术

单晶硅一般用CZ法制造。CZ法指的是在单晶炉内设置石英坩埚，并将硅料装入石英坩埚内，再依靠安装在石英坩埚周围的加热器使硅料熔化，后把安装在籽晶夹头上的籽晶进入熔液，并通过籽晶夹头与石英坩埚的相互逆转进而制造出规定直径和长度的单晶棒。此时，为了遮蔽熔液的热量，在石英坩埚上方设置围绕单晶棒的热屏。

请参阅图1，现有的单晶炉装置通常包括热屏。该热屏13可以是由热屏罩21和断热材22所组成。断热材22环绕拉晶中的单晶棒11，断热材22的外周可以全部被热屏罩21覆盖，也可以是断热材22的外周和内周全部被热屏罩21覆盖。热屏13位于石英坩埚12的上方。

虽然在石英坩埚12上方设置围绕单晶棒11的热屏12，能够一定程度上遮蔽熔液的热量，但是，热屏12设置在支撑体上，在热屏12和支撑体的相互连接处，熔液的热量很容易从此处散开。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种单晶炉装置，在热屏和支撑体的相互连接处，熔液的热量很容易从此处散开的技术问题。

一种具有上部断热材的单晶炉装置，在单晶炉内设置石英坩埚，并将硅料装设石英坩埚内，并且在石英坩埚周围设置一使硅料熔化的加热器，在石英坩埚的上部设置热屏，热屏是通过支撑体设置在单晶炉装置的壳内，在热屏和支撑体的相互连接处设置一上部断热材。

上部断热材可以为环状。

支撑体上设置有凸台，热屏的上部直接放置在该凸台上，所述上部断热材设置在热屏的上部。

附图说明

图1为现有的单晶炉装置的实施例示意图；

图2为本实用新型单晶炉装置的实施例示意图。

具体实施方式

以下结合附图，进一步说明本实用新型。

实施例

请参阅图2，其为一种具有上部断热材的单晶炉装置的结构示意图。在单晶炉17内设置石英坩埚12，并将硅料14装设石英坩埚12内，并且在石英坩埚12周围设置一使硅料熔化的加热器15，在石英坩埚12的上部设置热屏13，热屏13是通过支撑体16设置在单晶炉装置的壳内，在热屏13和支撑体16的连接处设置一上部断热材21。

在实例中，上部断热材21为环状。

支撑体16上设置有凸台161，热屏13的上部直接放置在该凸台161上，上部断热材21设置在热屏13的上部。

上部断热材21的材质为石墨或C/C复合材料。

本实用新型通过实验，得到了如下结果。

95kg装料、拉制直径6.5英寸的晶棒时，使用本实用新型的热屏，将平均拉速由以前的0.95mm/min提高至1.4mm/min实现了高速拉晶、拉晶时间缩短8.7小时。拉晶时的电力消耗降低了35％。