[实用新型]半导体器件散热性能测试装置有效
| 申请号： | 201020116415.2 | 申请日： | 2010-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN201765268U | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘玉智 | 申请（专利权）人： | 福建福顺半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/10 | 分类号： | G01R19/10 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 散热 性能 测试 装置 | ||
1.一种半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：包括半导体分立器件测试系统，所述半导体分立器件测试系统的测试站上连接有直流电源，以通过加载直流电源使待测产品内部温度升高，测取温度变化前后的各参数变化率来判定待测产品的散热性能。
2.根据权利要求1所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：所述待测产品为MOS-FET管产品，通过测取MOS-FET管产品RDSON值随温度变化的大小来测试待测MOS-FET管产品的散热性能。
3.根据权利要求2所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：所述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源加到待测产品的D 与S 极，待测产品G与S极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加载；
外部电源接线方式：外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器K113和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。
4.根据权利要求1所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：所述待测产品为TRANSISTOR管产品，通过测取TRANSISTOR管产品HFE值随温度变化的大小来测试待测TRANSISTOR管产品的散热性能。
5.根据权利要求4所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：所述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源加到待测产品的C 与E 极上，待测产品B 与E极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加载；
外部电源接线方式：外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器K113和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。
6.根据权利要求1所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：所述待测产品为REGULATOR管产品，通过测取REGULATOR管产品Vout值随温度变化的大小来测试待测REGULATOR管产品的散热性能。
7.根据权利要求6所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：所述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，所述JUNO DTS-1000测试系统的测试站连接外部电源的正极接到继电器K310 上端，K310下端与C短接，电源负极接到K311下端，K311上端与B极短接，以通过闭合K310、K311把外部电源加到REGULATOR管产品的Vin 与GND 端，通过闭合K203 把外接的负载电阻接到REGULATOR的Vout 与GND上。
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