[实用新型]一种IGBT模块过温保护电路有效
申请号: | 201020111182.7 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN201629564U | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 刘文田 | 申请(专利权)人: | 北京中纺锐力机电有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H5/04 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋 |
地址: | 101102 北京市通州区中关村*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 模块 保护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种过温保护电路,尤其是一种IGBT模块过温保护电路。
背景技术
绝缘双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是目前应用最广,使用效率最高的电力电子器件之一。过压、过流和过温保护是IGBT应用中最为关键的技术。而在IGBT的应用过程中由于散热不力、温度保护不及时可靠,经常会发生由于IGBT管芯温度过高而发生爆炸的情况。
目前通常采用温度传感器来对IGBT模块进行过温保护,如通过在IGBT模块内部封装负温度系数(Negative Temperature Coefficient,简称NTC)温度传感器来检测IGBT模块的温度。由于NTC温度传感器封装在IGBT模块的内部基板上,因此能及时反映出接近IGBT管芯的温度,给IGBT过温保护提供了较有效的途径。
然而目前公知的设置在IGBT模块内部的NTC温度传感器与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致NTC温度传感器测试不准保护误动作。
实用新型内容
本实用新型针对上述现有技术中用于对IGBT模块进行过温保护的温度传感器由于与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致温度传感器测试不准保护误动作的缺陷,提出了一种IGBT模块过温保护电路。
本实用新型实施例提供的IGBT模块过温保护电路,其中所述过温保护电路包括:给IGBT模块的温度传感器供电的隔离供电电源。
所述温度传感器设置在IGBT模块内部或外部。
所述隔离供电电源为电压源或电流源。
所述电压源为稳压源。
所述电流源为恒流源。
所述过温保护电路还包括:比较电路,其输入端与IGBT模块的温度传感器连接。
所述比较电路为回滞比较电路。
所述过温保护电路还包括:故障输出电路,其输入端与比较电路的输出端连接。
所述故障输出电路包括故障输出模块和指示模块。
所述故障输出模块为双节点输出,所述指示模块为LED指示。
本实用新型实施例提供的IGBT模块过温保护电路,通过给IGBT模块的温度传感器提供单独的隔离供电电源,实现了隔离供电,从而避免了现有技术中由于用于对IGBT模块进行过温保护的温度传感器与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致温度传感器测试不准保护误动作的缺陷;进一步地,隔离供电电源可以选用恒流源,能有效地抑制了IGBT模块本身电流变化对IGBT模块过温保护电路产生的干扰;更进一步地,IGBT模块过温保护电路还可以包括回滞比较电路,能够方便根据要求改变温度保护和恢复阀值,并且由于两阀值间死区的存在提高了保护电路的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例一的结构示意图;
图2为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例二的结构示意图;
图3为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例三的结构示意图;
图4为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例四的结构示意图;
图5为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例五的电路图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本实用新型实施方式进行进一步的详细描述。
图1为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例一的结构示意图。如图1所示,该过温保护电路包括给IGBT模块的温度传感器B供电的隔离供电电源A。
该实施例,通过给IGBT模块的温度传感器提供单独的隔离供电电源,实现了隔离供电,从而避免了由于用于对IGBT模块进行过温保护的温度传感器与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致温度传感器测试不准保护误动作的缺陷。
图2为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例二的结构示意图。该实施例相对于实施例一,IGBT模块过温保护电路还包括:比较电路,其输入端与IGBT模块的温度传感器B连接。
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