[实用新型]一种IGBT模块过温保护电路有效

专利信息
申请号: 201020111182.7 申请日: 2010-02-10
公开(公告)号: CN201629564U 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 刘文田 申请(专利权)人: 北京中纺锐力机电有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H5/04
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋
地址: 101102 北京市通州区中关村*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 模块 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种过温保护电路,尤其是一种IGBT模块过温保护电路。

背景技术

绝缘双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是目前应用最广,使用效率最高的电力电子器件之一。过压、过流和过温保护是IGBT应用中最为关键的技术。而在IGBT的应用过程中由于散热不力、温度保护不及时可靠,经常会发生由于IGBT管芯温度过高而发生爆炸的情况。

目前通常采用温度传感器来对IGBT模块进行过温保护,如通过在IGBT模块内部封装负温度系数(Negative Temperature Coefficient,简称NTC)温度传感器来检测IGBT模块的温度。由于NTC温度传感器封装在IGBT模块的内部基板上,因此能及时反映出接近IGBT管芯的温度,给IGBT过温保护提供了较有效的途径。

然而目前公知的设置在IGBT模块内部的NTC温度传感器与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致NTC温度传感器测试不准保护误动作。

实用新型内容

本实用新型针对上述现有技术中用于对IGBT模块进行过温保护的温度传感器由于与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致温度传感器测试不准保护误动作的缺陷,提出了一种IGBT模块过温保护电路。

本实用新型实施例提供的IGBT模块过温保护电路,其中所述过温保护电路包括:给IGBT模块的温度传感器供电的隔离供电电源。

所述温度传感器设置在IGBT模块内部或外部。

所述隔离供电电源为电压源或电流源。

所述电压源为稳压源。

所述电流源为恒流源。

所述过温保护电路还包括:比较电路,其输入端与IGBT模块的温度传感器连接。

所述比较电路为回滞比较电路。

所述过温保护电路还包括:故障输出电路,其输入端与比较电路的输出端连接。

所述故障输出电路包括故障输出模块和指示模块。

所述故障输出模块为双节点输出,所述指示模块为LED指示。

本实用新型实施例提供的IGBT模块过温保护电路,通过给IGBT模块的温度传感器提供单独的隔离供电电源,实现了隔离供电,从而避免了现有技术中由于用于对IGBT模块进行过温保护的温度传感器与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致温度传感器测试不准保护误动作的缺陷;进一步地,隔离供电电源可以选用恒流源,能有效地抑制了IGBT模块本身电流变化对IGBT模块过温保护电路产生的干扰;更进一步地,IGBT模块过温保护电路还可以包括回滞比较电路,能够方便根据要求改变温度保护和恢复阀值,并且由于两阀值间死区的存在提高了保护电路的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例一的结构示意图;

图2为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例二的结构示意图;

图3为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例三的结构示意图;

图4为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例四的结构示意图;

图5为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例五的电路图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本实用新型实施方式进行进一步的详细描述。

图1为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例一的结构示意图。如图1所示,该过温保护电路包括给IGBT模块的温度传感器B供电的隔离供电电源A。

该实施例,通过给IGBT模块的温度传感器提供单独的隔离供电电源,实现了隔离供电,从而避免了由于用于对IGBT模块进行过温保护的温度传感器与IGBT模块驱动电路共用同一电源电路,IGBT本身的电流变化易对该电源电路产生干扰影响,导致温度传感器测试不准保护误动作的缺陷。

图2为本实用新型一种IGBT模块过温保护电路实施例二的结构示意图。该实施例相对于实施例一,IGBT模块过温保护电路还包括:比较电路,其输入端与IGBT模块的温度传感器B连接。

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