[实用新型]单晶炉勾形磁场装置有效

专利信息
申请号: 201020107968.1 申请日: 2010-02-04
公开(公告)号: CN201626999U 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 焦尚彬;刘丁;李琦;蒋剑;袁文愈 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 单晶炉勾形 磁场 装置
【权利要求书】:

1.一种单晶炉勾形磁场装置,包括屏蔽护罩(8),屏蔽护罩(8)的一侧设置有水路(1),水路(1)的外部设置有水路护罩(3),屏蔽护罩(8)的下方设置有升降机构(5),升降机构(5)的一侧设置有用于驱动升降机构(5)的升降电机(6),其特征在于,所述的屏蔽护罩(8)内平行设置有上层线圈(2)和下层线圈(4),上层线圈(2)包括十组单组线圈,下层线圈(4)包括十五组单组线圈,单组线圈采用四根空心方铜管并行绕制成纵向两层、横向十二匝、共二十四匝的圆形线圈,单组线圈包括奇数组线圈和偶数组线圈。

2.根据权利要求1所述的单晶炉勾形磁场装置,其特征在于,所述的奇数组线圈为将四根空心方铜管外缠绝缘黄金带后在上层沿顺时针方向并行绕三圈,从内圈进入下层并沿顺时针方向并行绕三圈。

3.根据权利要求1所述的单晶炉勾形磁场装置,其特征在于,所述的偶数组线圈为将四根空心方铜管外缠绝缘黄金带后在上层沿逆时针方向并行绕三圈,再从内圈进入下层并沿逆时针方向并行绕三圈。

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