[实用新型]一种低成本的镍氢充电电池电路有效

专利信息
申请号: 201020059402.6 申请日: 2010-01-22
公开(公告)号: CN201608549U 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 钱光洪;谢如勇;陈炜 申请(专利权)人: 福建鑫诺通讯技术有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18;H02H5/04
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 翁素华
地址: 350000 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 低成本 充电电池 电路
【权利要求书】:

1.一种低成本的镍氢充电电池电路,其特征在于:包括依次相连接的直流电源座J1、电容C1、电解电容E1、肖特基二极管D1、限流保护电路、充电开关电路、温度保护电路、电池座J2、系统控制部分电路;其中所述直流电源座J1正极接电容C1的一端,接电解电容E1及肖特基二极管D1的正极,电容C1的另一端及电解电容E1的负端接地。

2.如权利要求1所述的一种低成本的镍氢充电电池电路,其特征在于:所述限流保护电路包括电阻R1、三极管Q2;其中,所述三极管Q2的E极接所述肖特基二极管D1的负极及电阻R1的一端,三极管Q2的B极接电阻R1的另一端及充电开关电路;三极管Q2的C极接充电开关电路。

3.如权利要求1所述的一种低成本的镍氢充电电池电路,其特征在于:所述充电开关电路包括P沟道增强型MOS管Q1、电阻R5;P沟道增强型MOS管Q1的S极接限流保护电路,P沟道增强型MOS管Q1的D极接电池座J2的正极;P沟道增强型MOS管Q1的G极接电阻R5的一端,电阻R5的另一端接地。

4.如权利要求1所述的一种低成本的镍氢充电电池电路,其特征在于:所述温度保护电路包括三极管Q3及电阻R4;三极管Q3的E极及电阻R4的一端接直流电源座J1的正极;三极管Q3的B极接电阻R4的另一端,再接到电池座J2的温度检测脚;三极管Q3的C极接充电开关电路。

5.如权利要求1所述的一种低成本的镍氢充电电池电路,其特征在于:所述系统控制部分电路包括三极管Q4、Q5、电阻R6、R7、R8、R2和R3;电阻R2的一端接电池座J2的正极;电阻R2的另一端串联电阻R3到地;电池电量检测接电阻R2和R3的公共端;三极管Q4的E极接电源座J1的正极,三极管Q4的C极接充电开关电路,三极管Q4的B极接电阻R6的一端,电阻R6的另一端接到三极管Q5的C极,三极管Q5的E极接地;三极管Q5的B极接电阻R7和R8,电阻R8的另一端接地,电阻R7的另一端接系统的控制端口。

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