[发明专利]光刻胶及其使用方法

权利要求书

1.一种提供离子注入的半导体基片的方法，包括：

提供其上涂敷有化学放大的正性作用光刻胶组合物浮雕像的半导体基片，其中光刻胶包含树脂、光敏组分和酚类组分；和

施加离子到基片上。

2.权利要求1中所述的方法，其中酚类组分为酚类树脂。

3.权利要求1或2中所述的方法，其中光刻胶是化学放大的正性光刻胶，并且树脂组分包括含有少于50wt％的芳香族基团的树脂。

4.一种经过涂敷的基片，包括：

其上涂敷有化学放大的正性作用光刻胶组合物的浮雕像的半导体晶片，上述光刻胶组合物包含独立组分(1)树脂、(2)光敏组分和(3)酚类组分；和

施加了掺杂离子的晶片。

5.一种形成光刻胶浮雕像的方法，包括：

(a)在基片上施加光刻胶，上述光刻胶包含树脂、光敏组分和酚类组分；和

(b)用图案化的活化辐射对光刻胶涂层曝光。

6.权利要求1-3和5任一项中所述的方法，其中辐射为193nm。

7.权利要求1-3、5和6任一项中所述的方法，其特征在于所述光刻胶组合物被施加到无机表面。

8.一种包含非酚类树脂、光敏组分和酚类组分的光刻胶组合物。