[发明专利]用于半导体器件和系统的电流传感器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基底；

电流传感器，其包括：

顶电极，其电耦合到所述半导体基底的第一表面；以及

底电极，其电耦合到与所述半导体基底的第一表面相对的所述半导体基底的第二表面，

其中所述电流传感器适合于提供对流经所述半导体基底的电流的测量。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述半导体基底内的沟槽；以及

与所述半导体基底电耦合的所述沟槽内的导体，

其中所述电流传感器还包括在所述沟槽内的所述导体。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

电导体，其将所述顶电极电耦合到引线框架。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电流传感器是第一电流传感器并且所述半导体器件还包括：

第二电流传感器，其包括：

顶电极，其电耦合到所述半导体基底的第一表面；以及

底电极，其电耦合到与所述半导体基底的第一表面相对的所述半导体基底的第二表面；

所述第一电流传感器适合于提供对流经所述半导体基底的第一电流的第一电流测量；以及

所述第二电流传感器适合于提供对流经所述半导体基底的第二电流的第二电流测量。

5.如权利要求4所述的半导体器件，还包括：

第一电导体，其将所述第一电流传感器的顶电极电耦合到引线框架第一导线；

第二电导体，其将所述第二电流传感器的顶电极电耦合到引线框架第二导线；以及

传导性管芯连接材料，其将所述第一电流传感器的底电极和所述第二电流传感器的底电极电耦合到引线框架管芯焊盘。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中无论形成在所述半导体基底之上或之内的场效应晶体管是开启、关闭还是转换，所述电流传感器适合于提供对流经所述半导体基底的电流的连续测量。

7.一种半导体器件，包括：

半导体管芯，其包括：

单个半导体基底；

在所述单个半导体基底之上的高侧晶体管，其中所述高侧晶体管包括源极和电耦合到器件电压输入(V_IN)插脚引出线的漏极；

在所述单个半导体基底之上的低侧晶体管，其中所述低侧晶体管包括漏极和电耦合到器件接地(P_GND)插脚引出线的源极；以及

电流传感器，其包括：

顶电极，其电耦合到所述单个半导体基底的第一表面；以及

底电极，其电耦合到与所述单个半导体基底的第一表面相对的所述单个半导体基底的第二表面，其中：

所述高侧晶体管的源极和所述低侧晶体管的漏极被电耦合到所述电流传感器的底电极；以及

所述电流传感器适合于提供对流经所述单个半导体基底的电流的测量。

8.如权利要求7所述的半导体器件，还包括被直接插入在所述顶电极和所述单个半导体基底之间的所述高侧晶体管的一部分。

9.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

栅极屏蔽物，其覆盖在所述高侧晶体管的晶体管栅极上面并被电耦合到所述半导体基底；

所述顶电极电接触所述栅极屏蔽物并通过所述栅极屏蔽物被电耦合到所述单个半导体基底；以及

一层单个半导体基底在所述顶电极和所述底电极之间被插入。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述栅极屏蔽物的较低延伸部分延伸通过覆盖在所述单个半导体基底上面的外延层并延伸进到在所述单个半导体基底内的沟槽中，并且被电耦合到所述单个半导体基底。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述栅极屏蔽物被直接插入在所述顶电极和所述单个半导体基底之间。

12.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

所述单个半导体基底包括其中的沟槽；

所述顶电极包括延伸到所述单个半导体基底内的所述沟槽中的部分。

13.如权利要求12所述的半导体器件，还包括：

覆盖在所述单个半导体基底上面的外延层，其中所述顶电极延伸通过所述外延层并延伸进到在所述单个半导体基底内的所述沟槽中。