[发明专利]高尔夫球有效
申请号: | 201010624393.5 | 申请日: | 2010-12-28 |
公开(公告)号: | CN102107074A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 大滨启司;佐嶌隆弘;松山悦子;中村拓尊;多罗尾俊之;志贺一喜 | 申请(专利权)人: | 住胶体育用品株式会社 |
主分类号: | A63B37/06 | 分类号: | A63B37/06;A63B37/12;A63B37/14 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 日本国兵库县神户*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高尔夫球 | ||
本申请要求2009年12月28日在日本提出的专利申请No.2009-297651的优先权。该日本专利申请的全部内容通过引用结合在本文中。
技术领域
本发明涉及高尔夫球。更具体地,本发明涉及具有核、中间层和覆盖物的多层高尔夫球。
背景技术
高尔夫球手对于高尔夫球的最高要求就是它们的飞行性能。高尔夫球手极大地关注利用发球杆(driver)、长铁杆和中铁杆击球所获得的飞行性能。飞行性能与高尔夫球的回弹性能相关。击打具有良好回弹性能的高尔夫球会引起高速飞行,从而获得长的飞行距离。
为了获得长的飞行距离,需要合适的轨迹高度。轨迹高度的改变取决于自转速率和发射角度。由于高的自转速率而获得高轨迹的高尔夫球会伴随着不足的飞行距离。由于大的发射角度而获得高轨迹的高尔夫球能够获得大的飞行距离。通过利用具有外硬/内软构造的核,能够获得小的自转速率和大的发射角度。
高尔夫球手还关注高尔夫球的自转性能。大的后旋速率会引起小的飞行距离。对于高尔夫球手,易于后旋的高尔夫球易于停止在目标位置。大的侧旋速率会导致高尔夫球的轨迹易弯曲。对于高尔夫球手来说,易于侧旋的高尔夫球容易使它们的轨迹故意弯曲。容易自旋的高尔夫球具有良好的控制性能。高级别的高尔夫球手特别关注利用短铁杆击打时的控制性能。
为了获得各种性能,提出具有多层构造的高尔夫球。日本未审查专利申请第H10-328326(等同于USP 6,468,169)号公报揭示了一种具有内球、包围层、内覆盖物和外覆盖物的高尔夫球。日本未审查专利申请第2001-17575(等同于USP 6,271,296)号公报揭示了一种具有核、包围层(envelope layer)、中间层和覆盖物的高尔夫球。日本未审查专利申请第2002-272880(等同于US 2001/0024982)号公报揭示一种具有核和覆盖物的高尔夫球。该核由内核和外核层组成。覆盖物由内覆盖物层和外覆盖物层组成。日本未审查专利申请第2003-205052(等同于US 2003/0166422)号公报揭示了一种具有内核、中间层和覆盖物的高尔夫球。日本未审查专利申请第2004-130072(等同于US 2004/0029648)号公报揭示一种具有核和覆盖物的高尔夫球。该核具有三层结构。
当具有外硬/内软构造并且具有非常大的硬度分布的核被发球杆击打时,核上出现大的能量损失。能量损失导致弹性性能的恶化。当具有外硬/内软构造并且具有非常大的硬度分布的核被短铁杆击打时,会获得小的自旋速率。小的自旋速率导致控制性能的恶化。
本发明的目的在于提供一种高尔夫球,该高尔夫球能够在被发球杆击打时获得大的飞行距离,并且在被短铁杆击打时获得良好的控制性能。
发明内容
根据本发明的一个方面的高尔夫球具有核、位于该核外侧的中间层,和位于该中间层外侧的覆盖物。核的体积相对于高尔夫球的假想球体积的比例不低于76%。核的表面的JIS-C硬度He与核的中心点的JIS-C硬度Ho之间的差(He-Ho)大于等于20并且小于等于40。覆盖物的JIS-C硬度Hc小于硬度Ho。包含在距核的中心点大于等于1mm并且小于等于15mm的区域中的所有点P满足以下的数学表达式。
H2-H1≤5
在以上的数学表达式中,H1表示沿径向方向位于点P的内侧并且距离点P为1mm的点P1处的JIS-C硬度,H2表示沿径向方向位于点P的外侧并且距离点P为1mm的点P2处的JIS-C硬度。
在根据本发明的高尔夫球中,核具有合适的硬度分布。一旦发球杆击打核时,核伴随着较少的能量损失。根据该高尔夫球,当被发球杆击打时,可以获得大的飞行距离。该高尔夫球可以在被短铁杆击打时获得良好的控制性能。
优选地,覆盖物的JIS-C硬度Hc不大于65。该覆盖物的厚度优选不大于0.8mm。
优选地,中间层的JIS-C硬度Hm不小于90。中间层优选具有不大于1.5mm的厚度。
优选地,覆盖物的基材的主要组分是热塑性的聚氨酯(polyurethane)。这种热塑性聚氨酯的多元醇组分是数均分子量不大于1500的聚四甲基醚二醇(polytetramethylene ether glycol)。
优选地,硬度Hm大于硬度He。优选地,硬度He大于等于70并且小于等于95。优选地,硬度Ho大于等于40并且小于等于80。优选地,硬度Ho和硬度Hc之间的差(Ho-Hc)大于等于3且小于等于15。
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