[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在半导体基底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成侧壁间隔件；

在所述侧壁间隔件的两侧部分地蚀刻所述半导体基底的一部分，以形成沟槽；

在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层；

在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层；

根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，以形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：将杂质掺杂到所述覆盖层和位于所述覆盖层的两侧的基底中，以形成源极/漏极杂质掺杂的区域。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述硅层被形成为厚度大于所述覆盖层的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述硅层通过外延生长工艺形成。

5.如权利要求4所述的方法，其中，执行所述外延生长工艺来形成具有侧壁的所述硅层，所述侧壁具有垂直倾斜度。

6.如权利要求1所述的方法，其中，用于蚀刻所述硅层的所述蚀刻溶液相对于所述(111)面的蚀刻速率比相对于其它面的蚀刻速率慢。

7.如权利要求1所述的方法，其中，用于蚀刻所述硅层的所述蚀刻溶液含有-OH官能团。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括氢氧化铵和四甲基氢氧化铵中的至少一种。

9.如权利要求1所述的方法，其中，当接触所述基底的所述硅层开始被蚀刻时，停止所述硅层的沿所述硅层的(111)面的蚀刻工艺。

10.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在所述覆盖层上形成金属硅化物层。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底的上表面和所述沟槽之间的角在40°至90°的范围内。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述SiGe混合的晶体层被形成为填充所述沟槽的内部。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述侧壁间隔件通过使用氧化硅形成。

14.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述硅层之后，去除所述侧壁间隔件，以暴露所述硅层的侧壁部分。

15.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在半导体基底上形成n型栅电极和p型栅电极；

在所述n型栅电极和所述p型栅电极上分别形成第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件；

在形成于所述p型栅电极上的所述第二侧壁间隔件的两侧部分地蚀刻所述半导体基底的一部分，以形成沟槽；

在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层；

在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层；

根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，以形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层；

在位于所述p型栅电极的两侧的基底中形成p型杂质掺杂的区域；

在位于所述n型栅电极的两侧的基底中形成n型杂质掺杂的区域。

16.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括：形成覆盖所述n型栅电极、所述p型栅电极和所述基底的表面的钝化层。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述钝化层使用氮化硅形成。

18.如权利要求15所述的方法，其中，所述硅层被形成为厚度大于所述覆盖层的厚度。

19.如权利要求15所述的方法，其中，用于蚀刻所述硅层的所述蚀刻溶液相对于所述(111)面的蚀刻速率比相对于其它面的蚀刻速率慢。

20.如权利要求15所述的方法，其中，用于蚀刻所述硅层的所述蚀刻溶液含有-OH官能团。