[发明专利]散热基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201010622466.7 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569624A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄泳胜 | 申请（专利权）人： | 佳荣能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;B32B15/04;B32B18/00;B32B3/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾杨*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热 及其 制造 方法 | ||
1.一种散热基板，其特征在于，包含：
一基材；以及
一陶瓷导热绝缘层，设置于该基材之上，该陶瓷导热绝缘层具有复数片状结构，该些片状结构相互堆栈。
2.如权利要求1所述的散热基板，其特征在于，其中该基材为铝或铜。
3.如权利要求1所述的散热基板，其特征在于，其中该陶瓷导热绝缘层为氮化铝或氧化铝或碳化硅或氮化硼。
4.如权利要求1所述的散热基板，其特征在于，其中该陶瓷导热绝缘层的厚度为1-10uM。
5.如权利要求1所述的散热基板，其特征在于，其中该些片状结构之间具有一缓冲空间。
6.一种散热基板的制造方法，其特征在于，包含：
提供一基材；以及
形成一陶瓷导热绝缘层于该基材之上，该陶瓷导热绝缘层具有复数片状结构，该些片状结构相互堆栈。
7.如权利要求6所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中该陶瓷导热绝缘层为氮化铝或氧化铝或碳化硅或氮化硼。
8.如权利要求6所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中该陶瓷导热绝缘层的厚度为1-10uM。
9.如权利要求6所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中于该陶瓷导热绝缘层的制造步骤中，利用溅镀方式将该陶瓷导热绝缘层形成于该基材之上。
10.如权利要求9所述的散热基板的制造方法，其中该溅镀方式包含真空溅镀或磁控溅镀。
11.如权利要求10所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中该磁控溅镀的操作条件的气体为氩气或氩氮混和气体。
12.如权利要求10所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中该磁控溅镀的操作条件的腔体气压为10-5～10-2torr。
13.如权利要求11所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中氩氮混合气体的比例为9∶1～3∶7。
14.如权利要求6所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中于该陶瓷导热绝缘层的制造步骤中，利用热蒸镀方式将该陶瓷导热绝缘层形成于该基材之上。
15.如权利要求6所述的散热基板的制造方法，其特征在于，其中于该陶瓷导热绝缘层的制造步骤中，利用化学气相沉积方式将该陶瓷导热绝缘层形成于该基材之上。
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