[发明专利]一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置无效
| 申请号： | 201010622205.5 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569352A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李志翔;吴东海 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L33/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 氮化物 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置，它包括蓝宝石基板(10)和蓝宝石基板(10)上方的氮化物外延层(12)，其特征在于，所述蓝宝石基板(10)的下表面置有金属层(11)。
2.根据权利要求1所述的以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述金属层(11)的材料由Al、Ni、Cu、Sn、Ti、Cr中的一种元素或多种元素混合构成。
3.根据权利要求1或2所述的以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述金属层(11)的厚度根据氮化物外延层(12)的厚度进行调整，厚度范围为0.1-10μm。
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