[发明专利]织构化的半导体衬底

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

a)提供半导体衬底；以及

b)施加水溶液至该半导体衬底以织构化该半导体衬底，该水溶液包括选自重均分子量为170克/摩尔或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物的一种或更多的化合物和一种或更多的碱性化合物。

2.根据权利要求1的方法，其中选自烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物的一种或更多的化合物具有通式为：

RO(C_xH_2xO)_mY    (Ⅰ)

其中R是-CH₃或-H，Y是-H或-C(O)CH₃，且m是3或更大的整数且x是3至6的整数。

3.根据权利要求1的方法，其中烷氧基二醇具有通式为：

HO(CH₂CH₂O)_nH   (Ⅱ)

其中n为3或更大的整数。

4.根据权利要求1的方法，其中该一种或更多的碱性化合物选自氢氧化物和链烷醇胺。

5.根据权利要求1的方法，进一步包括一种或更多的碱金属氯化物或一种或更多的硅酸盐或其混合物。

6.一种方法，所述方法包括：

a)提供半导体衬底；

b)使用水溶液织构化该半导体衬底的表面，该水溶液包括选自重均分子量为170克/摩尔或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物的一种或更多的化合物以及一种或更多的碱；

c)掺杂该半导体衬底以形成p/n结；

d)在该织构化的表面上沉积抗反射层；

e)选择性地刻蚀该抗反射层以暴露该织构化表面的一部分以形成图案；以及

f)在该织构化的表面的暴露部分上沉积一层或更多金属层。

7.根据权利要求6的方法，其中该一种层或更多金属层是金、银、铜或镍。

8.根据权利要求6的方法，其中含硅衬底是光伏器件、电极、欧姆接触、互连线、肖特基势垒二极管接触、光电元件、用于光和电化学探测器/传感器的元件、催化剂、欧姆接触和互连线。

9.一种织构化水溶液，所述织构化水溶液主要由选自重均分子量为170克/摩尔或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物的一种或更多的化合物、一种或更多的碱性化合物和水组成。