[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

在基板表面上形成的、至少在表面的一部分上具有错位集中的区域并包含活性层的半导体元件层；和

以与所述错位集中的区域以外的所述半导体元件层的表面区域相接触的方式形成的表面侧电极，

将所述半导体元件层的表面中所述错位集中的区域的上面除去预定厚度，并且，除去预定厚度后的上表面相比于所述活性层位于更下方。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述活性层形成于所述半导体元件层的表面中所述错位集中的区域以外的区域。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件层包含在所述活性层下形成的第一导电型的第一半导体层；

所述第一半导体层包含位于比所述错位集中的区域更靠内侧的、具有第一厚度的第一区域，和具有错位集中的区域且同时具有比所述第一厚度还小的第二厚度的第二区域；

所述活性层具有比所述第一半导体层的第一区域宽度还小的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

还包括在所述基板的背面上形成的背面侧电极；

所述半导体元件层具有脊部，

所述错位集中的所述表面区域形成于从所述脊部离开的位置。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，

除去所述预定厚度的所述错位集中的所述表面区域，形成于在所述活性层的宽度方向上从所述脊部离开的位置。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，

在所述活性层的宽度方向上从所述脊部离开的位置是所述半导体元件层的侧端部。

7.根据权利要求4～6所述的半导体元件，其特征在于，

所述脊部形成为条状，

除去所述预定厚度的所述错位集中的所述表面区域形成为条状。

8.根据所述权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件层具有从所述半导体基板的背面延伸至所述半导体元件层的表面的错位集中的区域。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件是半导体激光元件。

10.一种半导体元件，其特征在于，包括：

包含具有第一厚度的第一区域，和至少在表面一部分上具有错位集中的表面区域的、且具有比所述第一厚度更小的第二厚度的第二区域的基板；

在所述第二区域以外的所述基板的表面的所述第一区域上形成的半导体元件层；和

以与所述半导体元件层的表面相接触的方式形成的表面侧电极。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件层包含：

第一导电型的第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成的活性层；和

在所述活性层上形成的第2导电型的第2半导体层。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，

所述活性层具有比所述第一半导体层的宽度更小的宽度。

13.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件层具有凸部。

14.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件层具有从所述半导体基板的背面延伸至所述半导体元件层的表面的错位集中的区域。

15.一种氮化物类半导体激光元件的制造方法，包括以下步骤：

在基板表面上形成至少在表面的一部分上具有错位集中的表面区域并包含活性层的半导体元件层；

以与所述错位集中的所述表面区域以外的所述半导体元件层的表面的区域相接触的方式形成表面侧电极；和

将所述错位集中的所述表面区域的上表面除去预定厚度，使其位于比所述活性层更下方。