[发明专利]引线框架的电镀方法

说明书

技术领域：

本发明涉及一种引线框架的制造方法，特别是涉及一种引线框架的电镀方法。

背景技术：

集成电路的引线框架(比如行业通用型号QFN--方型扁平无引脚封装、QFP--四侧引脚扁平封装等)是制造集成电路半导体元件的基本部件。为满足制造集成电路半导体元件的需求，集成电路的引线框架表面的局部区域需电镀金属银或镍钯金，其余部分不要求有镀层，否则无法满足制造集成电路半导体元件的需求，所以集成电路引线框架进行电镀时需要用电镀掩膜对其表面不需要进行电镀的部分进行保护。现有技术集成电路引线框架的电镀方法均是对整版蚀刻后的引线框架，并将拗片后成条状的引线框架进行电镀的，而拗片后条状的引线框架中的引线框架的边缘到条状的边缘的距离较短，则这种电镀方法电镀后引线框架的边框容易出现漏银的现象。

发明内容：

本发明针对以上问题提供一种可有效地解决引线框架边框漏银现象的引线框架的电镀方法。

本发明解决以上问题所用的技术方案是：提供一种引线框架的电镀方法，包括以下步骤：①.准备湿菲林溶液；②.将蚀刻后带拗片位的整版引线框架放入湿菲林溶液中进行电镀；③.将前一步骤电镀后的整版引线框架用清水进行清洗，并烘干；④.随后进行曝光，显影；⑤.再放入电镀液中进行电镀银；⑥.将电镀完的整版引线框架进行退膜处理，并洗净烘干即可。

所述的湿菲林溶液的浓度为55％～75％。

所述的步骤②中的电镀时间为10～15秒。

所述的步骤②中湿菲林溶液的温度为40℃～60℃。

所述的步骤③中的烘干温度为90℃～110℃，时间为30～90秒。

所述的步骤④中的曝光时间为15～25秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为15℃～45℃。

所述的步骤④中的显影时间为120～180秒。

采用以上方法后，本发明与现有技术相比，由于引线框架为蚀刻后带拗片位的整版引线框架，则整版引线框架中引线框架的边缘到整版的边缘还有一段距离，故在电镀银时引线框架的边缘就不会出现漏银的现象。因此本发明可有效地解决引线框架边框漏银现象的问题。

具体实施方式：

以下结合具体实方式，对本发明做进一步描述：

实施例1

①.准备湿菲林溶液，所述的湿菲林溶液的浓度为55％；

②.将蚀刻后带拗片位的整版引线框架接上导线后，放入湿菲林溶液中进行电镀，电镀时间为10～12秒，温度为40℃～50℃；

③.将前一步骤电镀后的整版引线框架用清水进行清洗，并烘干，烘干在常规的锯炉中进行，烘干温度为90℃～100℃，时间为80～90秒；

④.对烘干后的整版引线框架进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为20～25秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为15℃～25℃，对曝光后的整版引线框架进行显影，显影时间为120～140秒，显影后用清水冲洗并晾干；

⑤.将步骤④处理完的整版引线框架接上导线后，放入电镀液中进行电镀银，完成后使用清水进行清洗并晾干；

⑥.对电镀完的整版引线框架进行退膜处理，喷洒去膜水去除菲林膜层只带镀层的整版引线框架，喷洒时间150～250秒，温度为50℃～60℃，将处理完的整版引线框架用清水清洗完，晾干后再拗片即可。

实施例2

①.准备湿菲林溶液，所述的湿菲林溶液的浓度为65％；

②.将蚀刻后带拗片位的整版引线框架接上导线后，放入湿菲林溶液中进行电镀，电镀时间为11～15秒，温度为45℃～60℃；

③.将前一步骤电镀后的整版引线框架用清水进行清洗，并烘干，烘干在常规的锯炉中进行，烘干温度为95℃～110℃，时间为30～80秒；

④.对烘干后的整版引线框架进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为15～20秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为25℃～45℃，对曝光后的整版引线框架进行显影，显影时间为140～180秒，显影后用清水冲洗并晾干；

⑤.将步骤④处理完的整版引线框架接上导线后，放入电镀液中进行电镀银，完成后使用清水进行清洗并晾干；

⑥.对电镀完的整版引线框架进行退膜处理，喷洒去膜水去除菲林膜层只带镀层的整版引线框架，喷洒时间150～250秒，温度为50℃～60℃，将处理完的整版引线框架用清水清洗完，晾干后再拗片即可。

实施例3

①.准备湿菲林溶液，所述的湿菲林溶液的浓度为75％；