[发明专利]用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010619496.2 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102134698A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 彭程;吴良才;饶峰;宋志棠;刘波;周夕淋;朱敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 al sb te 系列 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料，其特征在于：该材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物。
2.根据权利要求1所述用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料，其特征在于：该相变材料的通式为Alx(SbyTe1)1-x，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7。
3.根据权利要求1所述用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料，其特征在于：该相变材料中的铝、锑、碲三种元素两两成键，组成三元体系。
4.根据权利要求1所述用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料，其特征在于：该相变材料中的铝元素和锑元素之间成键，形成AlSb半导体。
5.根据权利要求1所述用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料，其特征在于：该相变材料采用电脉冲作用实现电阻率的可逆转变。
6.一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射制备Alx(SbyTe1)1-x相变材料，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7。
7.根据权利要求6所述用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料的制备方法，其特征在于：在磁控溅射中采用多靶共溅射的方法。
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