[发明专利]一种相变材料的干法刻蚀方法无效
| 申请号： | 201010619487.3 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102136548A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 夏梦姣;饶峰;宋志棠;吴良才;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变材料的干法刻蚀方法，采用离子束干法刻蚀，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一，在氧化硅衬底上磁控溅射生长相变材料薄膜；
步骤二，经过清洗、涂胶、前烘、曝光、显影步骤后，得到刻蚀准备片；
步骤三，利用含氟气体与辅助气体，在刻蚀气压为20～80mTorr、刻蚀功率为150～300W的条件下刻蚀后，得到流片；
步骤四，将刻蚀完成的流片去胶后进入下一道工序。
2.如权利要求1所述的一种相变材料的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤一中的相变材料薄膜为硅锑碲系类薄膜。
3.如权利要求1或2所述的一种相变材料的干法刻蚀方法，其特征在于，所述含氟气体为CF4或CHF3气体；所述辅助气体为Ar或O2气体。
4.如权利要求3所述的一种相变材料的干法刻蚀方法，其特征在于，所述含氟气体为CF4，所述辅助气体为Ar时，CF4占总气体体积比为20％～60％。
5.如权利要求3所述的一种相变材料的干法刻蚀方法，其特征在于，所述含氟气体为CHF3，所述辅助气体为O2时，O2占CHF3的体积比小于10％。
6.如权利要求4或5所述的一种相变材料的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤三中的刻蚀气压为50mTorr、刻蚀功率为250W。
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