[发明专利]双重图形化方法无效
| 申请号： | 201010619444.5 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102129968A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 袁伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双重 图形 方法 | ||
1.一种双重图形化方法，其特征在于，包括如下步骤：
自下而上依次在衬底上沉积图形层和旋涂第一光刻胶层；
利用第一层光刻图形版光刻所述第一光刻胶层，并以光刻后的所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述图形层；
去除所述第一光刻胶层，在所述图形层的表面和所述图形层刻蚀形成的图形间隙内沉积硬掩膜层；
对所述硬掩膜层的表面进行平坦化处理；
在所述硬掩膜层的平坦表面沉积第二光刻胶层；
利用第二层光刻图形版光刻所述第二光刻胶层、并以光刻后的所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和所述图形层；
去除所述第二光刻胶层和所述硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，利用化学机械研磨的方式对所述硬掩膜层的表面进行平坦化处理。
3.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅或者氮氧化硅或者四乙基硅酸盐或者氮化坦或者氮化钛。
4.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度范围为100～1000纳米。
5.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述图形层为半导体器件的多晶硅线-槽层或者半导体器件的通孔接触层。
6.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，利用化学或物理气相沉积方式形成所述硬掩膜层。
7.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，用湿法刻蚀去除所述硬掩模层。
8.一种双重图形化方法，其特征在于，包括如下步骤：
自下而上依次在衬底上沉积图形层和旋涂第一光刻胶层；
利用第一层光刻图形版光刻所述第一光刻胶层，并以光刻后的所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述图形层；
去除所述第一光刻胶层，在所述图形层的表面和所述图形层刻蚀形成的图形间隙内沉积硬掩膜层；
对所述硬掩膜层的表面进行平坦化处理；
在所述硬掩膜层的平坦表面沉积第二光刻胶层；
利用第二层光刻图形版光刻所述第二光刻胶层、以光刻后的所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层；
去除所述第二光刻胶层，以刻蚀后的所述硬掩膜层刻蚀所述图形层；
去除所述硬掩膜层。
9.如权利要求8所述的双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅或者氮氧化硅或者四乙基硅酸盐或者氮化坦或者氮化钛。
10.如权利要求8所述的双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度范围为100～1000纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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