[发明专利]一种改善太阳能电池表面扩散的方法有效
| 申请号： | 201010618577.0 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102130211A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 苏青峰;赖建明;张根发;罗军;王长君;李帅 | 申请（专利权）人： | 上海联孚新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201201 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 太阳能电池 表面 扩散 方法 | ||
1. 一种改善太阳能电池表面扩散的方法，其特征在于：包括以下步骤：
a：在750～850℃温度下，通入Ar气，对P型单晶硅片退火处理；
b：将步骤a中退火处理后的硅片氧化处理；
c：将步骤b中生成氧化层的硅片进行磷扩散；
d：将步骤c中磷扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行处理；
e： 将步骤d中处理后的硅片在750-850℃温度下，通入Ar气，进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的改善太阳能电池薄膜扩散的方法，其特征在于：
所述步骤a中退火处理时间为5-15分钟，所述步骤e中退火处理时间为10-20分钟。
3.根据权利要求1所述的改善太阳能电池薄膜扩散的方法，其特征在于：
所述步骤b中氧化处理是指将步骤a中退火处理的硅片在800-860℃下，通入大氮气和氧气，氧化处理5-10分钟，在硅片表面形成5-10纳米厚的氧化层。
4.根据权利要求1所述的改善太阳能电池薄膜扩散的方法，其特征在于：
所述步骤c中磷扩散是指将步骤b中生成氧化层的硅片在800-900℃下，通入小氮气、大氮气以及氧气，进行磷扩散30-50分钟。
5.根据权利要求1所述的改善太阳能电池薄膜扩散的方法，其特征在于：
所述步骤d中将硅片进行处理是指将步骤c中扩散后的硅片在800-900℃下，通入大氮气和氧气，进行处理10-15分钟，在硅片表面形成10-15纳米厚的氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
