[发明专利]半导体发光芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光芯片，其包括基板及与该基板连接的磊晶层，该磊晶层包括第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：所述磊晶层的第一半导体层上形成导电结构，所述基板上形成导热凸层，该导热凸层嵌入导电结构内，该导热凸层包括竖向生长的碳纳米管。

2.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述导热凸层还包括催化层，催化层在基板表面形成多个间隔的区域，碳纳米管从催化层顶面进行竖向生长。

3.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述导电结构包括依次形成于所述第一半导体层上的第一透明导电层及导通层。

4.如权利要求3所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述导通层由反射材料制成。

5.如权利要求3所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述第一透明导电层与第一半导体层之间形成欧姆接触层。

6.如权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述导热凸层通过导通层、第一透明导电层及欧姆接触层嵌入至第一半导体层内。

7.如权利要求6所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述导热凸层与第一半导体层的接触界面上形成一粘着层，所述导电结构的底面与基板顶面通过另一粘着层接合。

8.如权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述第二半导体层上依次形成第二透明导电层及第二电极。

9.如权利要求8所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述基板的底面形成第一电极，该基板由导电材料制成。

10.如权利要求8所述的半导体发光芯片，其特征在于：还包括第一电极，半导体发光芯片表面开设深入到第一半导体层的开槽，第一电极位于开槽内的第一半导体层上，第一电极通过穿孔与第一透明导电层连接。

11.一种半导体发光芯片的制造方法，包括步骤：

1)提供第一基板和第二基板；

2)在第一基板表面上形成导热凸层，该导热凸层包括竖向生长碳纳米管；

3)在第二基板上依次生长第二半导体层、发光层及第一半导体层；

4)在第一半导体层上形成导电结构，导热凸层嵌入导电结构；

5)去除第二基板。

12.如权利要求11所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：步骤2)中在生长碳纳米管之前包括在第一基板表面上形成催化层的步骤，催化层在基板表面形成多个间隔的区域，碳纳米管从催化层顶面进行竖向生长。

13.如权利要求11所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：步骤5)中的所述导电结构包括依次形成于所述第一半导体层上的第一透明导电层及导通层。

14.如权利要求13所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：所述导通层由反射材料制成。

15.如权利要求13所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：步骤5)中在形成第一透明导电层之前还包括在第一半导体层上形成欧姆接触层的步骤，所述导热凸层通过导通层、第一透明导电层及欧姆接触层嵌入至第一半导体层内。

16.如权利要求15所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：在步骤5)中导热凸层与导电结构嵌合时，所述导热凸层的顶面与第一半导体层的底面通过晶圆结合技术粘结，所述导通层的底面与所述第一基板的顶面通过晶圆结合技术粘结。

17.如权利要求13所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：步骤5)之后包括在第二半导体层上依次形成第二透明导电层及第二电极的步骤。

18.如权利要求17所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：步骤5)之后包括在第一基板的底面形成第一电极的步骤，该第一基板由导电材料制成。

19.如权利要求17所述的半导体发光芯片的制造方法，其特征在于：所述第一基板为绝缘基板，半导体发光芯片表面开设深入到第一半导体层的开槽，开槽底部的第一半导体层上形成第一电极，第一电极通过穿孔与第一透明导电层连接。