[发明专利]光致发光晶片及其制备方法和应用

权利要求书

1.光致发光晶片，其特征在于：所述的光致发光晶片为具有通式为A₃B₅O₁₂的石榴石结构不掺加任何树脂和其它粘结剂的片状晶体，光致发光晶片的厚度≥20μm，晶粒的尺寸≥10μm；并且，所述的光致发光晶片的元素成分中包括：

第一元素A为稀土元素Y、Lu、La、Gd或Sm中的至少一种；

第二元素B为元素Al、Ga或In中的至少一种；

激活元素为稀土元素Ce，Pr，Tb或Dy中至少一种。

2.根据权利要求1所述的光致发光晶片，其特征在于：光致发光晶片的通式为（Y_1-x-y-zTb_xCe_ySE_z)₃(Al_1-wGa_w)₅O₁₂，式中：SE为Gd、Dy或Pr中至少一种；0≤x≤0.6－y－z；0≤y≤0.1；0≤z≤0.5；0≤w≤0.3。

3.根据权利要求1或2所述的光致发光晶片，其特征在于：光致发光晶片为多晶，光致发光晶片的厚度为30～200μm；或者，光致发光晶片为单晶，光致发光晶片的厚度为50～200μm。

4.根据权利要求1或2所述的光致发光晶片，其特征在于：光致发光晶片的表面设有抗反射膜。

5.根据权利要求4所述的光致发光晶片，其特征在于：抗反射膜为SiO₂、Al₂O₃和MgO中至少一种。

6.根据权利要求5所述的光致发光晶片，其特征在于：光致发光晶片的背面具有棱锥形凹凸织构的抗反射陷光表面，所述的抗反射膜设置在陷光表面上。

7.根据权利要求1或2所述的光致发光晶片，其特征在于：光致发光晶片正面具有棱锥形凹凸织构的增透射粗糙表面。

8.根据权利要求1或2所述的光致发光晶片，其特征在于：光致发光晶片具有特定规律的阵列排布的凹坑，所述凹坑的形状与被封装LED芯片的形状和尺寸相匹配；或具有特定规律的阵列排布的凸起，所述凸起的形状与LED的光度分布要求相对应。

9.一种制备权利要求1或2所述的光致发光晶片的方法，其特征在于：该方法采用第一元素A和第二元素B的氧化物为基质原料和激活元素的氧化物为激活剂原料，加入或不加入助溶剂置于钳埚中加热熔融，采用熔液流铸法，在定向运动的铸模上浇铸凝固成形，制备出石榴石多晶光致发光晶片；或者，采用提拉法，在单晶生长炉中拉制出石榴石单晶体，切割成单晶光致发光晶片。