[发明专利]镀膜件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010616252.9 申请日: 2010-12-30
公开(公告)号: CN102560359A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;黄嘉 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;B32B9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种镀膜件及其制备方法,尤其涉及一种具有热致变色效果的镀膜件及该镀膜件的制备方法。

背景技术

二氧化钒(VO2)是一种过渡金属氧化物,由于其具有良好的热致变色特性,已成为功能材料领域研究的热点。VO2在Tc=68℃时可发生由低温绝缘体态向高温金属态快速可逆的一级位移型相变。伴随着晶体结构的转变,VO2的光学、电学、磁学等物理性质也发生了较大幅度的变化。当T>Tc时VO2对红外光具有高透射性,T<Tc时则对红外光具有高反射性,VO2的这种光学性质随温度可逆改变的现象称为热致变色。

由于VO2的热致变色温度相对较高,目前对VO2的研究主要集中于如何降低VO2的热致变色温度。研究表明,通过掺杂Ti、Mo或W等元素可降低VO2的热致变色温度;且目前通过掺杂最低可使VO2的相变温度降低到30℃以下。为满足不同智能温度需求并扩大VO2的应用,还需进一步降低VO2的致变色温度。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种能进一步降低VO2的热致变色温度的镀膜件。

另外,还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。

一种镀膜件,包括基体及形成于基体表面的热致变色层,该热致变色层为M和R掺杂的二氧化钒层,其中M为钛、铌、钼及钨的一种或以上,R为铑、钯及钌中的一种或以上。

一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤:

提供一基体;

在基体表面形成热致变色层,该热致变色层为M和R掺杂的二氧化钒层,其中M为钛、铌、钼及钨的一种或以上,R为铑、钯及钌中的一种或以上;该热致变色层采用磁控溅射法形成,使用一合金靶,所述合金靶中含有金属M、金属R和金属钒,其中金属M的原子百分含量为10~15%,金属R的原子百分含量为2~5%,剩余的为金属钒。

本发明所述镀膜件在基体的表面沉积热致变色层,该热致变色层通过在掺杂M的二氧化钒中同时掺杂R,进一步降低了二氧化钒的热致变色温度,使其具有更加优异的变色性能;且该热致变色层具有良好的可逆性,可有效地提高镀膜件的使用寿命。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图;

图2为本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。

主要元件符号说明

镀膜件    10

基体      11

热致变色层13

真空镀膜机20

镀膜室    21

合金靶    23

轨迹      25

真空泵    30

具体实施方式

请参阅图1,本发明一较佳实施方式的镀膜件10,其包括基体11及形成于基体11上的热致变色层13,该热致变色层13为M和R掺杂的二氧化钒层,其中该热致变色层13中钒、M与R的原子百分比为钒∶M∶R=17.4~18.8∶1~2∶0.2~0.6;其中M可为钛(Ti)、铌(Nb)、钼(Mo)及钨(W)中的一种或以上,M优选钼或钨,R可为铑(Rh)、钯(Pd)及钌(Ru)中的一种或以上。

该基体11可为不锈钢、铝合金、镁合金、玻璃、陶瓷或塑料。

该热致变色层13可以磁控溅射的方式形成。该热致变色层13的厚度可为500~800nm。

本发明一较佳实施方式的镀膜件10的制备方法,其包括如下步骤:

提供一基体11,该基体11可为不锈钢、铝合金、镁合金、玻璃、陶瓷或塑料。

将基体11放入无水乙醇中进行超声波清洗,以去除基体11表面的污渍,清洗时间可为5~10min。

对经上述处理后的基体11的表面进行氩气等离子体清洗,以进一步去除基体11表面的油污,以及改善基体11表面与后续镀层的结合力。结合参阅图2,提供一真空镀膜机20,该真空镀膜机20包括一镀膜室21及连接于镀膜室21的一真空泵30,真空泵30用以对镀膜室21抽真空。该镀膜室21内设有转架(未图示)和相对设置的二合金靶23。转架带动基体11沿圆形的轨迹25公转,且基体11在沿轨迹25公转时亦自转。

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