[发明专利]一种集成低通滤波器电路

说明书

(一)技术领域：

本发明涉及一种滤波器电路，尤其是一种集成低通滤波器电路。

(二)背景技术：

现有的CMOS集成低通滤波器多采用有源滤波器结构，其结构由电阻，电容和运放组成，采用切比雪夫，巴特沃斯等形式组成的高阶滤波器！这些滤波器不仅结构复杂，而且功耗和占用芯片面积较大，不利于在集成电路中应用，这样的电路已经越来越不能满足低压、低功耗和高度集成的需要。

(三)发明内容：

本发明的发明目的在于设计一种集成低通滤波器电路，它可以克服现有技术的不足，是一种具有超低的功耗和较锐利的截止频率，且可以减小低通滤波器占据的芯片面积的电路。

本发明的技术方案：一种集成低通滤波器电路，包括电源电压Vdd、地和电容，其特征在于它是由不少于3个的跨导单元相互级联构成。

上述所说的跨导单元包括5个，由跨导单元Gm1、跨导单元Gm2、跨导单元Gm3、跨导单元Gm4和跨导单元Gm5构成；

其中所说的跨导单元Gm1是由开关管NMOS1、开关管NMOS2、开关管PMOS3、开关管PMOS4和尾电流源In构成；其中所说的开关管NMOS2的栅极端为集成低通滤波器电路的采集输入电压Vin的正向输入端，其源级经尾电流源In接地，其漏极与开关管PMOS4的漏极连接；所说的开关管NMOS1的栅极作为集成低通滤波器电路的采集输入电压Vin的负向输入端，同时与跨导单元Gm5的输出端连接，构成输出电压的负反馈电路，其源级经尾电流源In接地，其漏极与开关管PMOS3的漏极连接；所说的开关管PMOS4的源级连接电源电压Vdd，其栅极与漏极短接，同时与开关管PMOS3的栅极连接；所说的开关管PMOS3的的源级连接电源电压Vdd，其漏极与开关管NMOS1的漏极连接，同时连接跨导单元Gm2的输入端；

所说的跨导单元Gm2是由开关管NMOS1、开关管NMOS2、开关管PMOS3、开关管PMOS4、电压源Vdd/2和尾电流源In构成；其中所说的开关管NMOS1的栅极与跨导单元Gm1中开关管PMOS3的漏极及开关管NMOS 1的漏极连接，其源级经尾电流源In接地，其漏极与开关管PMOS3的漏极、跨导单元Gm1中开关管PMOS3的漏极及开关管NMOS1的漏极、跨导单元Gm3的输入端连接；所说的开关管NMOS2的栅极经电压源Vdd/2接地，其源级经尾电流源In接地，其漏极与开关管PMOS4的漏极、开关管PMOS4的栅极及连接开关管PMOS3的栅极连接；所说的开关管PMOS3的栅级与开关管PMOS4的栅级、开关管PMOS4的漏极及开关管NMOS2的漏极连接，其源级与电源电压Vdd连接，其漏极与开关管NMOS1的漏极、跨导单元Gm1中开关管PMOS3的漏极及开关管NMOS1的漏极、跨导单元Gm3的输入端连接；所说的开关管PMOS4的栅极与开关管PMOS3的栅极连接，其源级连接电源电压Vdd，其漏极与其栅极短接，同时与开关管NMOS2的漏极连接；

所说的跨导单元Gm3是由开关管NMOS1、开关管NMOS2、开关管PMOS3、开关管PMOS4、电压源Vdd/2和尾电流源In构成；其中所说的开关管NMOS2的栅极与跨导单元Gm1中开关管PMOS3的漏极及开关管NMOS 1的漏极、跨导单元Gm2中开关管PMOS3的漏极及开关管NMOS1的漏极连接，其源级经尾电流源In接地，其漏极与开关管PMOS4的漏极连接；所说的开关管NMOS1的栅极经电压源Vdd/2接地，其源级经尾电流源In接地，其漏极与开关管PMOS3的漏极连接，同时连接跨导单元Gm4的输入端；所说的开关管PMOS4的源级连接电源电压Vdd，其栅极与漏极短接，同时与开关管PMOS3的栅极连接；所说的开关管PMOS3的源级连接电源电压Vdd，其漏极与开关管NMOS1的漏极连接，同时连接跨导单元Gm4的输入端；