[发明专利]沉积SiO2膜的方法

权利要求书

1.一种在以下条件下沉积无机SiO₂膜的方法：温度低于250℃，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在包括供应正硅酸四乙酯(TEOS)和O₂作为前体的室中，其中O₂/TEOS的比率介于15∶1至25∶1之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体是使用RF驱动的喷头沉积的，其中所述喷头使用高频成分和低频成分驱动。

3.根据权利要求2所述的方法，其中高频成分处于13.56MHz，而低频成分为350kHz至2MHz。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中以高频供应的功率近似为低频成分的功率的两倍。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，所述方法还包括对沉积的膜进行H₂等离子体处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其中H₂等离子体处理在真空中断后进行。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述H₂等离子体处理在膜的表面上形成或重新形成Si-H键。

8.一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SiO₂膜的方法，所述方法使用TEOS前体和含氧的前体，所述方法包括对沉积的膜进行H₂等离子体处理。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述前体通过RF驱动的喷头沉积，并且其中所述喷头使用高频成分和低频成分驱动。

10.一种SiO₂膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，所述方法在低于250℃的温度，使用TEOS和含氧的前体通过RF驱动的喷头进行沉积，其中所述喷头是使用高频成分和低频成分驱动的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中高频成分为13.5MHz，而低频成分在350kHz至2MHz的范围内。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述膜是在约150℃-约200℃的范围内的温度沉积的。

13.根据权利要求5或从属于权利要求5的权利要求6至12中任一项所述的方法，其中将单一RF频率用于H₂等离子体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述单一RF频率为13.56。

15.根据权利要求5或从属于权利要求5的权利要求6至14中任一项所述的方法，其中等离子体温度在约125℃至约250℃的范围内，优选约200℃。