[发明专利]具有掩埋栅极电极的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底的单元有源区和周边有源区上形成多晶半导体层；

去除所述单元有源区中的部分所述多晶半导体层和所述衬底以在所述单元有源区中形成栅极沟槽；

在所述栅极沟槽中形成栅极电极；以及

去除部分所述多晶半导体层以在所述周边有源区中的所述衬底上形成周边栅极电极。

2.如权利要求1所述的方法，还包括对所述多晶半导体层进行掺杂。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述周边栅极电极包括单个多晶半导体层。

4.如权利要求1所述的方法，还包括在所述栅极沟槽中的所述栅极电极上形成绝缘图案。

5.如权利要求4所述的方法，还包括在所述多晶半导体层的相对侧壁之间的所述绝缘图案上形成覆盖图案。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述覆盖图案包括具有与所述多晶半导体层的结晶度不同的结晶度。

7.如权利要求1所述的方法，其中在所述栅极沟槽中的底表面上形成栅极电极包括：

在所述衬底上形成导电材料层以填充所述栅极沟槽；以及

蚀刻所示导电材料层以形成所述栅极电极，使得所述栅极电极的顶表面低于所述单元有源区的顶表面。

8.一种半导体器件，包括：

衬底，具有单元有源区和周边有源区；

多晶半导体图案，在所述单元有源区中的衬底上；

栅极电极，在栅极沟槽中，该栅极沟槽在所述单元有源区中的所述多晶半导体图案和所述衬底中；

绝缘图案，在所述栅极沟槽中的栅极电极上；

覆盖图案，在所述多晶半导体层的侧壁之间的绝缘图案上；以及

多晶半导体周边栅极电极，设置在所述周边有源区中的衬底上。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述覆盖图案包括多晶半导体，该覆盖图案的多晶半导体的结晶度不同于所述多晶半导体图案的结晶度和所述周边栅极电极的结晶度。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述多晶半导体周边栅极电极具有与所述多晶半导体图案相同的结晶度。